[发明专利]MEMS陀螺仪在审
| 申请号: | 202111088562.2 | 申请日: | 2021-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN113804171A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
| 发明(设计)人: | 凌方舟;丁希聪;刘尧;蒋乐跃 | 申请(专利权)人: | 美新半导体(天津)有限公司 |
| 主分类号: | G01C19/5755 | 分类号: | G01C19/5755 |
| 代理公司: | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人: | 庞聪雅 |
| 地址: | 300450 天津市自贸试验区(*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | mems 陀螺仪 | ||
1.一种MEMS陀螺仪,其特征在于,其包括:
驱动质量块,其内部定义形成有一空间;
驱动电极,其驱动所述驱动质量块做往复运动;
位于所述空间中的检测质量块;
位于所述检测质量块下方的检测电极,其与所述检测质量块形成一检测电容,通过检测该所述检测电容的变化确定所述检测质量块的运动;
耦接于所述驱动质量块上的第一补偿梁;
耦接于所述第一补偿梁和所述检测质量块之间的第二补偿梁,其中所述检测质量块在所述驱动质量块的带动下与所述驱动质量块一起做往复运动;
耦接于所述第一补偿梁上的至少一对补偿质量块,其中每对补偿质量块中的第一补偿质量块位于所述第一补偿梁的一侧,每对补偿质量块中的第二补偿质量块位于所述第一补偿梁的另一侧;
位于所述至少一对补偿质量块下方的至少一对补偿电极,每对补偿电极包括位于对应的一对补偿质量块中的第一补偿质量块下方的第一补偿电极,以及位于对应的一对补偿质量块中的第二补偿质量块下方的第二补偿电极,通过在所述至少一对补偿电极的第一补偿电极和/或第二补偿电极上施加电信号,以进行误差补偿。
2.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,所述检测质量块包括位于边缘的检测梁,第二补偿梁耦接于所述第一补偿梁和所述检测梁之间。
3.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,其还包括:
固定于基体上的锚点;
连接所述锚点和所述驱动质量块的驱动梁;
其中所述驱动质量块、所述检测质量块、所述补偿质量块、第一补偿梁、第二补偿梁和驱动梁均悬置于所述基体上方,所述检测电极和所述补偿电极均设置于所述基体上。
4.根据权利要求3所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,其还包括:
设置于所述基体上的驱动反馈电极,所述驱动反馈电极位于所述驱动质量块的下方。
5.根据权利要求1-4任一所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,第一补偿梁沿Y轴延伸,第二补偿梁沿X轴延伸,所述驱动质量块被所述驱动电极驱动的沿X轴往复运动,所述检测质量块在所述驱动质量块的带动下与所述驱动质量块一起沿X轴做往复运动,Y轴为敏感轴,在Y轴上存在转动时,会引起所述检测质量块沿Z轴的运动,通过检测该所述检测电容的变化能够检测Y轴上转动的角速度,所述X轴和Y轴垂直,Z轴与X和Y轴垂直,
通过在所述至少一对补偿电极的第一补偿电极和/或第二补偿电极上施加电信号,使得所述至少一对补偿质量块通过第一补偿梁、第二补偿梁给所述检测质量块提供沿Z轴的误差补偿力,或者沿X轴转动的误差补偿力或者沿Y轴转动的误差补偿力。
6.根据权利要求5所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,通过在所述至少一对补偿电极的第一补偿电极和/或第二补偿电极上施加电信号,促使第一补偿梁转动,进而由第二补偿梁给所述检测质量块提供沿Z轴的误差补偿力。
7.根据权利要求6所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,在所述检测质量块沿X轴的一个方向运动时,在所述至少一对补偿电极中的第一补偿电极和/或第二补偿电极上施加电信号,促使第一补偿梁转动,进而由第二补偿梁给所述检测质量块提供沿Z轴向上的误差补偿力;
在所述检测质量块沿X轴的相反的另一个方向运动时,在所述至少一对补偿电极的第一补偿电极和/或第二补偿电极上施加电信号,促使第一补偿梁转动,进而由第二补偿梁给所述检测质量块提供沿Z轴向下的误差补偿力。
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