[发明专利]芯片封装模具、芯片封装体及封装方法在审
申请号: | 202111088026.2 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN114188232A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 甘志超;陆阳 | 申请(专利权)人: | 杰华特微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/683;H01L23/552;H01L23/31;B29C45/14 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 模具 方法 | ||
本发明公开了一种芯片封装模具、芯片封装体及封装方法,该封装模具包括:第一模具和第二模具,分别具有开口且彼此相对结合后形成至少一个空腔,空腔用以容置引线框架及与引线框架相连接的芯片;多个注料通道,与空腔相连通,用于注入塑封料以形成塑封体,其中,第一模具还包括吸附通道,每个空腔对应至少一个吸附通道,吸附通道贯穿第一模具且到达第一模具的开口内表面,吸附通道用于在注入塑封料之前施加负压从而在第一模具的开口内表面吸附金属膜,在注入塑封料后金属膜粘附于塑封体表面。本发明形成的芯片封装体,电磁屏蔽效果更好且不随时间的推移而下降,同时不占用额外面积,能够适用于芯片封装高密度使用的情况。
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域,具体涉及一种芯片封装模具、芯片封装体及封装方法。
背景技术
在集成电路的制作中,芯片是通过晶圆制作、形成集成电路以及切割晶圆等步骤而获得。在晶圆的集成电路制作完成之后,由晶圆切割所形成的芯片可以向外电性连接到引线框架(Lend Frame,简称L/F)上;而芯片可以采用打线结合或覆晶结合的方式电性连接至引线框架。如果芯片和引线框架是以打线结合的方式电性连接,则进入到填入封胶的制作步骤以构成芯片封装体。芯片封装技术就是将芯片包裹起来,以避免芯片与外界接触,防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。
目前的封装技术中所采用的封装材料普遍由塑料取代了传统的金属和陶瓷壳体,但普通塑料封装包覆的芯片极易受外界电磁干扰(EMI)而使其产生误动作,从而带来严重后果。
现有屏蔽电磁干扰的方案有:
1、在封装材料外涂覆导电高分子涂料。导电涂料可以方便地刷涂于各种形状的材料表面形成导电涂层,起到一定的电磁屏蔽的作用,但在使用过程中涂料层会氧化而脱落,使屏蔽效能下降。
2、在塑料封装体外放置一个金属屏蔽罩,以此来隔绝电磁干扰。此方法占用面积大,不易用于封装高密度使用的情况。
因此,有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种芯片封装模具、芯片封装体及封装方法,基于本发明所形成的芯片封装体,电磁屏蔽效果更好且不随时间的推移而下降,同时不占用额外面积,能够适用于芯片封装高密度使用的情况。
根据本公开第一方面,提供了一种芯片封装模具,包括:第一模具和第二模具,所述第一模具与所述第二模具分别具有开口且彼此相对结合后形成至少一个空腔,所述空腔用以容置引线框架及与所述引线框架相连接的芯片;以及
多个注料通道,所述多个注料通道贯穿所述第一模具和所述第二模具,与所述空腔相连通,用于注入塑封料以形成塑封体,
其中,所述第一模具还包括吸附通道,每个空腔对应至少一个所述吸附通道,所述吸附通道贯穿所述第一模具且到达所述第一模具的开口内表面,所述吸附通道用于在注入塑封料之前施加负压从而在所述第一模具的开口内表面吸附金属膜,在注入塑封料后金属膜粘附于所述塑封体表面。
可选地,所述吸附通道在所述塑封料注入完成后的降温硬化过程中将吸附的金属膜粘附于所述塑封体表面;或者
所述吸附通道在塑封料完全硬化后基于粘接剂将吸附的金属膜粘附于所述塑封体表面。
可选地,所述吸附通道为漏斗状,且所述吸附通道靠近空腔一端的尺寸大于其远离空腔一端的尺寸。
可选地,当一个空腔内仅对应设置有一个吸附通道时,所述吸附通道设置于对应空腔上表面的几何中心区域。
可选地,所述金属膜在被吸附状态下与所述第一模具的开口内表面贴合。
可选地,所述负压由与所述吸附通道连通的负压装置提供。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造