[发明专利]芯片封装模具、芯片封装体及封装方法在审
申请号: | 202111088026.2 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN114188232A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 甘志超;陆阳 | 申请(专利权)人: | 杰华特微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/683;H01L23/552;H01L23/31;B29C45/14 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 模具 方法 | ||
1.一种芯片封装模具,包括:
第一模具和第二模具,所述第一模具与所述第二模具分别具有开口且彼此相对结合后形成至少一个空腔,所述空腔用以容置引线框架及与所述引线框架相连接的芯片;以及
多个注料通道,所述多个注料通道贯穿所述第一模具和所述第二模具,与所述空腔相连通,用于注入塑封料以形成塑封体,
其中,所述第一模具还包括吸附通道,每个空腔对应至少一个所述吸附通道,所述吸附通道贯穿所述第一模具且到达所述第一模具的开口内表面,所述吸附通道用于在注入塑封料之前施加负压从而在所述第一模具的开口内表面吸附金属膜,在注入塑封料后金属膜粘附于所述塑封体表面。
2.根据权利要求1所述的芯片封装模具,其中,所述吸附通道在所述塑封料注入完成后的降温硬化过程中将吸附的金属膜粘附于所述塑封体表面;或者,所述吸附通道在塑封料完全硬化后采用粘接剂将吸附的金属膜粘附于所述塑封体表面。
3.根据权利要求1所述的芯片封装模具,其中,所述吸附通道为漏斗状,且所述吸附通道靠近空腔一端的尺寸大于其远离空腔一端的尺寸。
4.根据权利要求3所述的芯片封装模具,其中,当一个空腔内仅对应设置有一个吸附通道时,所述吸附通道设置于对应空腔上表面的几何中心区域。
5.根据权利要求1所述的芯片封装模具,其中,所述金属膜在被吸附状态下与所述第一模具的开口内表面贴合。
6.根据权利要求1所述的芯片封装模具,其中,所述负压由与所述吸附通道连通的负压装置提供。
7.根据权利要求6所述的芯片封装模具,其中,当一个空腔内对应设置有多个吸附通道时,所述多个吸附通道彼此连通,且由同一的所述负压装置提供所述负压。
8.一种芯片封装体,该芯片封装体经由如权利要求1-7中任一项所述的封装模具封装形成,其中,所述芯片封装体包括:
引线框架;
芯片,设置于所述引线框架上并与所述引线框架电连接;
塑封体,包覆所述芯片;
金属膜,粘附于所述塑封体表面。
9.根据权利要求8所述的芯片封装体,其中,所述金属膜粘附于所述塑封体的上表面及部分侧面。
10.根据权利要求9所述的芯片封装体,其中,粘附于所述塑封体侧面的所述金属膜与芯片封装体引脚之间的距离大于预设阈值。
11.根据权利要求10中任一项所述的芯片封装体,其中,所述金属膜各部分的厚度相等。
12.根据权利要求11所述的芯片封装体,其中,所述金属膜的厚度为0.1-0.9mm。
13.根据权利要求8所述的芯片封装体,其中,所述金属膜的形成材料包括铝和铜中的任一。
14.根据权利要求8所述的芯片封装体,其中,所述引线框架包括芯片衬垫和引脚,所述芯片固定在所述芯片衬垫上,并与所述引脚电连接。
15.一种芯片封装方法,其中,包括:
提供引线框架;
将芯片设置于所述引线框架上并与所述引线框架电连接;
将设置有芯片的引线框架置于如权利要求1-7中任一项所述的芯片封装模具的空腔内,并向所述芯片封装模具中注入塑封料以形成包覆所述芯片和所述引线框架的塑封体;
在所述塑封料注入完成后将所述芯片封装模具吸附的金属膜粘附于所述塑封体表面,以一体化的形成芯片封装体。
16.根据权利要求15所述的芯片封装方法,其中,在所述塑封料注入完成后的降温硬化过程中将所述芯片封装模具吸附的金属膜粘附于所述塑封体表面;或者,在所述塑封料注入完成并完全硬化后采用粘接剂将吸附的金属膜粘附于所述塑封体表面。
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