[发明专利]一种3D NAND存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括至少一层第一绝缘层和至少一层第一牺牲层，所述第一绝缘层和所述第一牺牲层交替层叠形成，其中，所述至少一层第一绝缘层的层数比所述至少一层第一牺牲层的层数多一层；

在所述堆叠层远离所述衬底的一侧形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的厚度大于所述第一牺牲层的厚度；

在所述第二牺牲层远离所述堆叠层的一侧形成第二绝缘层；

沿层叠方向刻蚀所述第二绝缘层、第二牺牲层以及所述堆叠层，以形成贯穿所述第二绝缘层、第二牺牲层以及所述堆叠层的至少一个沟道孔，使得所述第二绝缘层、第二牺牲层、所述至少一层第一绝缘层及所述至少一层第一牺牲层具有外露于所述至少一个沟道孔的侧壁；

从所述至少一个沟道孔内刻蚀去除所述第二牺牲层的预设尺寸部分以及所述至少一层第一牺牲层的预设尺寸部分，以使得所述第二牺牲层及每一第一牺牲层的侧壁均向内凹陷相同尺寸；

从所述至少一个沟道孔内沉积形成电荷存储层，所述电荷存储层包括至少一层覆盖于所述第一牺牲层侧壁的第一电荷存储层以及覆盖于所述第二牺牲层侧壁的第二电荷存储层，其中，所述第一电荷存储层的宽度大于所述第二电荷存储层，以使得所述第一电荷存储层的侧壁凸出于所述第二电荷存储层的侧壁；以及

从所述至少一个沟道孔内刻蚀所述电荷存储层，同时去除所述第二电荷存储层以及部分所述至少一层第一电荷存储层，以形成至少一层目标电荷存储层，所述目标电荷存储层覆盖于所述第一牺牲层的侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述至少一个沟道孔内刻蚀去除所述第二牺牲层的预设尺寸部分以及所述至少一层第一牺牲层的预设尺寸部分，包括：

使用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述第二牺牲层的预设尺寸部分以及所述至少一层第一牺牲层的预设尺寸部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述使用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述第二牺牲层的预设尺寸部分以及所述至少一层第一牺牲层的预设尺寸部分，包括：

将3D NAND存储器浸泡于热磷酸溶液中预设时间，通过所述热磷酸刻蚀所述第二牺牲层以及所述至少一层第一牺牲层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述至少一个沟道孔内刻蚀所述电荷存储层，去除所述第二电荷存储层以及部分所述至少一层第一电荷存储层，包括：

使用湿法刻蚀工艺刻蚀所述电荷存储层，去除所述第二电荷存储层以及部分所述至少一层第一电荷存储层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述使用湿法刻蚀工艺刻蚀所述电荷存储层，去除所述第二电荷存储层以及部分所述至少一层第一电荷存储层，包括：

将3D NAND存储器浸泡于热磷酸溶液中预设时间，通过所述热磷酸刻蚀所述第二电荷存储层以及刻蚀所述至少一层第一电荷存储层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成电荷存储层之前，所述方法还包括：

从所述至少一个沟道孔内沉积形成阻挡层，所述阻挡层包括至少一层覆盖于所述第一牺牲层侧壁的第一阻挡层以及覆盖于所述第二牺牲层侧壁的第二阻挡层；

所述从所述至少一个沟道孔内沉积形成电荷存储层，所述电荷存储层包括至少一层覆盖于所述第一牺牲层侧壁的第一电荷存储层以及覆盖于所述第二牺牲层侧壁的第二电荷存储层，包括：

从所述至少一个沟道孔内沉积形成电荷存储层，所述电荷存储层包括至少一层覆盖于所述第一阻挡层侧壁的第一电荷存储层以及覆盖于所述第二阻挡层侧壁的第二电荷存储层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述阻挡层还包括至少一层覆盖于所述第一绝缘层侧壁的第三阻挡层，所述电荷存储层还包括至少一层覆盖于所述第三阻挡层侧壁的第三电荷存储层，所述方法还包括：

刻蚀去除所述至少一层第三电荷存储层。