[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法

说明书

本申请涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。将半导体材料图案化为一种配置，所述配置包含通过第一间隙彼此间隔开的第一向上突出结构的集合和通过第二间隙与所述集合间隔开的第二向上突出结构。所述第二间隙大于所述第一间隙。沿着所述第一向上突出结构和所述第二向上突出结构且在所述第一间隙和所述第二间隙内形成导电材料。在所述第二间隙内的所述导电材料的区域上方形成保护材料的第一片段和第二片段，且接着利用蚀刻将所述导电材料图案化为所述第一间隙内的第一导电结构且图案化为所述第二间隙内的第二导电结构。一些实施例包含集成组合件。

技术领域

集成组合件(例如，集成存储器)。形成集成组合件的方法。

背景技术

存储器可使用存储器单元，所述存储器单元个别地包括与存储元件(例如，电容器、电阻性存储器装置、相变存储器装置等)组合的存取装置(例如，存取晶体管)。

在一些应用中，需要形成穿过存储器架构的层次的导电互连件。在形成此类导电互连件同时还维持存储器架构的结构组件的完整性(例如，同时还维持字线的完整性)时遇到困难。将合乎希望的是开发用于制造存储器架构的改进方法和形成穿过存储器架构的层次的导电互连件的改进方法。

发明内容

根据本申请的一方面，提供一种集成组合件。所述集成组合件沿着横截面包括：通过第一间隙彼此间隔开的第一向上突出结构的集合；所述第一向上突出结构中的一者为所述集合中的边缘向上突出结构；第二向上突出结构，其通过大于所述第一间隙的第二间隙与所述第一向上突出结构的所述集合间隔开；第一导电结构，其在所述第一间隙内且邻近所述第一突出结构的侧壁；第二导电结构，其在所述第二间隙内；所述第二导电结构中的一者邻近所述边缘向上突出结构的侧壁，且所述第二导电结构中的另一者邻近所述第二向上突出结构的侧壁；和沿着所述横截面，所述第二导电结构的形状与所述第一导电结构不同。

根据本申请的另一方面，提供一种形成集成组合件的方法。所述方法包括：将半导体材料图案化为一种配置，所述配置沿着横截面包含通过第一间隙彼此间隔开的第一向上突出结构的集合和通过第二间隙与所述集合间隔开的第二向上突出结构；所述第一向上突出结构中的一者为所述集合中的边缘向上突出结构且邻近所述第二间隙；所述第二间隙大于所述第一间隙；沿着所述第一向上突出结构和所述第二向上突出结构且在所述第一间隙和所述第二间隙内形成导电材料；跨越所述第一间隙且在所述第二间隙内形成保护材料；从所述第一向上突出结构和所述第二向上突出结构上方去除所述保护材料，同时在所述第二间隙内的所述导电材料上方留下所述保护材料的片段；所述保护材料的所述片段中的一者为第一片段且邻近所述边缘向上突出结构的侧壁，且所述保护材料的所述片段中的一者为第二片段且邻近所述第二向上突出结构的侧壁；和利用蚀刻将所述导电材料图案化为所述第一间隙内的第一导电结构且图案化为所述第二间隙内的第二导电结构；所述第二导电结构中的一者邻近所述边缘向上突出结构的所述侧壁且在所述蚀刻期间由所述保护材料的所述第一片段保护；所述第二导电结构中的另一者邻近所述第二向上突出结构的所述侧壁且在所述蚀刻期间由所述保护材料的所述第二片段保护。