[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法在审
申请号: | 202111073577.1 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN114188481A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 陈卓;I·V·瓦西里耶沃;D·F·范;K·K·穆图克里希南 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L49/02 | 分类号: | H01L49/02;H01L27/108;H01L27/11507;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 组合 形成 方法 | ||
1.一种集成组合件,其沿着横截面包括:
通过第一间隙彼此间隔开的第一向上突出结构的集合;所述第一向上突出结构中的一者为所述集合中的边缘向上突出结构;
第二向上突出结构,其通过大于所述第一间隙的第二间隙与所述第一向上突出结构的所述集合间隔开;
第一导电结构,其在所述第一间隙内且邻近所述第一突出结构的侧壁;
第二导电结构,其在所述第二间隙内;所述第二导电结构中的一者邻近所述边缘向上突出结构的侧壁,且所述第二导电结构中的另一者邻近所述第二向上突出结构的侧壁;和
沿着所述横截面,所述第二导电结构的形状与所述第一导电结构不同。
2.根据权利要求1所述的集成组合件,其包括延伸穿过所述第二间隙的底部的导电互连件。
3.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述第一导电结构沿着所述横截面为大体上笔直的结构,且其中所述第二导电结构沿着所述横截面为角度板。
4.根据权利要求3所述的集成组合件,其中第二导电结构中的所述一者为所述角度板中的第一个,且所述第二导电结构中的所述另一者为所述角度板中的第二个;并且其中所述第一角度板和所述第二角度板跨越居中定位于所述第一角度板与所述第二角度板之间的竖直平面大体互为镜像。
5.根据权利要求3所述的集成组合件,其中:
第二导电结构中的所述一者为所述角度板中的第一个,且所述第二导电结构中的所述另一者为所述角度板中的第二个;
所述第一角度板包含沿着所述边缘向上突出结构的所述侧壁的第一主部分,且包含从所述第一主部分延伸到所述第二间隙中的第一副部分;所述第一副部分经配置为邻近所述边缘向上突出结构的所述侧壁的第一凸缘;且
所述第二角度板包含沿着所述第二向上突出结构的所述侧壁的第二主部分,且包含从所述第二主部分延伸到所述第二间隙中的第二副部分;所述第二副部分经配置为邻近所述第二向上突出结构的所述侧壁的第二凸缘。
6.根据权利要求5所述的集成组合件,其包括:
第一绝缘材料,其由所述第一凸缘和所述第二凸缘支撑且沿着所述第一主部分和所述第二主部分延伸;
第二绝缘材料,其在所述第一间隙和所述第二间隙内;所述第二绝缘材料在所述第一角度板和所述第二角度板上方,且在所述第一绝缘材料上方;和
所述第一绝缘材料在组成上不同于所述第二绝缘材料。
7.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述第一绝缘材料不在所述第一间隙内的所述第一导电结构上方。
8.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述第一角度板和所述第二角度板具有分别相对于由所述第一凸缘和所述第二凸缘支撑的所述第一绝缘材料的上表面竖直偏移的上表面。
9.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述第一绝缘材料包括一或多种高k介电组合物,且其中所述第二绝缘材料包括二氧化硅。
10.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述第二间隙至少约为所述第一间隙的两倍大。
11.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述第二间隙至少约为所述第一间隙的三倍大。
12.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述第二间隙至少约为所述第一间隙的四倍大。
13.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述第一导电结构和所述第二导电结构为字线且与字线驱动器电路耦合。
14.根据权利要求13所述的集成组合件,其中所述第一向上突出结构和所述第二向上突出结构为半导体材料的支柱,且在数字线上方;并且其中所述数字线与感测放大器电路耦合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111073577.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。