[发明专利]一种多主栅背接触异质结太阳电池及其制作方法

权利要求书

1.一种多主栅背接触异质结太阳电池，其特征在于：它包括半导体基板、设置在半导体基板的第一主面上且从左到右交替设置的多个第一半导体区和第二半导体区、设置在各个第一半导体区和第二半导体区之间的隔离槽、水平设置在各个第一半导体区上的一列以上第一绝缘层阵列、水平设置在各个第二半导体区上的一列以上第二绝缘层阵列、电连接各个第一半导体区且与各个第二绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第一可焊接主栅线以及电连接各个第二半导体区且与各个第一绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第二可焊接主栅线；第一绝缘层阵列与第二绝缘层阵列从上到下错开设置。

2.根据权利要求1所述的多主栅背接触异质结太阳电池，其特征在于：所述第一半导体区和第二半导体区之间设置有隔离区，所述隔离槽设置在隔离区上。

3.根据权利要求2所述的多主栅背接触异质结太阳电池，其特征在于：所述第一半导体区包括以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成的第一型半导体膜层和第一导电膜层，所述第二半导体区包括以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成的第二型半导体膜层和第二导电膜层，所述隔离区包括以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成的第一型半导体膜层、隔离膜层、第二型半导体膜层以及隔离导电膜层，所述隔离槽将隔离导电膜层分隔成左右两部分。

4.根据权利要求3所述的多主栅背接触异质结太阳电池，其特征在于：所述第一型半导体膜层包括以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成的第一钝化层和第一半导体层；所述第二型半导体膜层包括以半导体基板的第一主面为底面从底到面依次形成的第二钝化层和第二半导体层；所述第一导电膜层、第二导电膜层和隔离导电膜层分别包括以相应半导体层为基底从底到面依次形成的透明导电层和金属导电层；所述隔离膜层包括在隔离区以第一半导体层为基底形成的隔离绝缘层。

5.根据权利要求1-4任意一项所述多主栅背接触异质结太阳电池的制作方法，其特征在于：它包括以下步骤，

步骤A，在半导体基板的第一主面上从左到右交替设置第一半导体区和第二半导体区，且在第一半导体区和第二半导体区之间设置隔离槽；

步骤B，在形成有第一半导体区和第二半导体区的半导体基板的第一主面上从上到下错开设置的两列以上绝缘区段；每一列绝缘区段仅设置在第一半导体区或第二半导体区，第一半导体区和第二半导体区分别设置有一列以上绝缘区段，各个第一半导体区和各个第二半导体区都设置有绝缘区段；设置在第一半导体区同一水平位置上的一列绝缘区段为第一绝缘层阵列，设置在第二半导体区同一水平位置上的一列绝缘区段为第二绝缘层阵列；

步骤C，在每个第二绝缘层阵列相同水平位置对应设置电连接各个第一半导体区的第一可焊接主栅线，在每个第一绝缘层阵列相同水平位置对应设置电连接各个第二半导体区的第二可焊接主栅线。

6.根据权利要求5所述的多主栅背接触异质结太阳电池的制作方法，其特征在于：所述步骤A的具体方法为，第一半导体区和第二半导体区从左到右交替设置在半导体基板的第一主面上，在第一半导体区和第二半导体区之间设置隔离区，隔离区上设置隔离槽。

7.根据权利要求6所述的多主栅背接触异质结太阳电池的制作方法，其特征在于：所述第一半导体区以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成第一型半导体膜层和第一导电膜层，所述第二半导体区以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成第二型半导体膜层和第二导电膜层，所述隔离区以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成第一型半导体膜层、隔离膜层、第二型半导体膜层以及隔离导电膜层，所述隔离区上开设将隔离导电膜层分隔成左右两部分的隔离槽。

8.根据权利要求6所述的多主栅背接触异质结太阳电池的制作方法，其特征在于：所述隔离槽是通过激光蚀刻或化学腐蚀技术在隔离区表面形成；所述隔离槽宽度为10-150um。