[发明专利]太阳能电池的制备工艺

说明书

本申请涉及一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：提供电池片，其中电池片至少包括半导体衬底以及位于半导体衬底至少一个表面的钝化层；电池片具有相对的第一表面和第二表面，对电池片的表面丝网印刷导电浆料；对电池片进行烘干处理；对电池片进行烧结处理，第一表面烧结处理的升温速率为22℃/s～35℃/s，第一表面烧结处理的峰值温度为700℃～800℃；对电池片进行降温处理，第一表面降温处理的降温速率为55℃/s～65℃/s，第一表面降温处理的持续时间为5s～7s；对电池片进行退火处理，第一表面退火处理的温度为520℃～600℃，第一表面退火处理的持续时间为12s～25s。本申请的制备工艺，能够在提升太阳能电池转换效率的同时，节约工艺长度和能耗。

技术领域

本申请涉及光伏电池技术领域，具体涉及太阳能电池的制备工艺。

背景技术

现有太阳能电池的制备工艺中，对半导体衬底进行丝网印刷后进入烧结炉进行烧结处理，常规的烧结处理工艺需要在到达烧结处理峰值温度后采用水冷或风冷的方式实现快速冷却将温度降至室温，而后经过设备自动化过渡，进入退火炉进行退火处理，实现太阳能电池的钝化。现有的工艺要求设备足够长，且电池在烧结炉及退火炉中时间较长，降低了产能，同时能耗较高；此外烧结炉和退火炉中间需要加自动一段自动传输装置，用于烧结后降温至室温，导致增加了设备投入。

因此，有必要研究一种能够降低能耗、节约成本、提高太阳能电池效率的制备工艺。

发明内容

鉴于此，本申请提出一种太阳能电池的制备工艺，既能够降低能耗、节约成本的同时，还能够提高太阳能电池的转化效率。

第一方面，本申请实施例公开了一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：

提供电池片，其中所述电池片至少包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底至少一个表面的钝化层；

所述电池片具有相对的第一表面和第二表面，对所述电池片的表面丝网印刷导电浆料；

对所述电池片进行烘干处理；

对所述电池片进行烧结处理，所述第一表面烧结处理的升温速率为22℃/s～35℃/s，所述第一表面烧结处理的峰值温度为700～800℃；

对所述电池片进行降温处理，所述第一表面降温处理的降温速率为55℃/s～65℃/s，所述第一表面降温处理的持续时间为5s～7s；

对所述电池片进行退火处理，所述第一表面退火处理的温度为520℃～600℃，所处第一表面退火处理的持续时间为12s～25s。

结合第一方面，所述电池片第二表面烧结处理的升温速率为22℃/s～31℃/s，所述第二表面烧结处理的峰值温度为700℃～750℃，第二表面烧结处理的时间为12s～24s。

结合第一方面，所述电池片第二表面降温处理的降温速率为35℃/s～45℃/s，所述第二表面降温处理的持续时间为5s～7s。

结合第一方面，所述电池片第二表面退火处理的温度为510℃～580℃，第二表面退火处理的持续时间为12s～24s。

结合第一方面，所述烘干处理的温度为210℃～260℃，烘干处理的时间为24s～36s，烘干处理的升温速率为5℃/s～15℃/s。

结合第一方面，所述第一表面烧结处理的时间为12s～25s。

结合第一方面，所述第一表面烧结处理的带速为5m/min～13m/min。

结合第一方面，在所述烧结处理中，对所述电池片从覆盖导电浆料的侧面或导电浆料相对的侧面进行加热。

结合第一方面，所述电池片烧结处理的预设温度差为35℃～170℃。