[发明专利]太阳能电池的制备工艺在审

专利信息
申请号: 202111067662.7 申请日: 2021-09-13
公开(公告)号: CN113782641A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 李香凝;金井升;张昕宇 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/67
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 钱娴静
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:

提供电池片,其中所述电池片至少包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底至少一个表面的钝化层;

所述电池片具有相对的第一表面和第二表面,对所述电池片的表面丝网印刷导电浆料;

对所述电池片进行烘干处理;

对所述电池片进行烧结处理,所述第一表面烧结处理的升温速率为22℃/s~35℃/s,所述第一表面烧结处理的峰值温度为700℃~800℃;

对所述电池片进行降温处理,所述第一表面降温处理的降温速率为55℃/s~65℃/s,所述第一表面降温处理的持续时间为5s~7s;

对所述电池片进行退火处理,所述第一表面退火处理的温度为520℃~600℃,所处第一表面退火处理的持续时间为12s~25s。

2.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述电池片第二表面烧结处理的升温速率为22℃/s~31℃/s,所述第二表面烧结处理的峰值温度为700℃~750℃,第二表面烧结处理的时间为12s~24s。

3.根据权利要求2所述的工艺,其特征在于,所述电池片第二表面降温处理的降温速率为35℃/s~45℃/s,所述第二表面降温处理的持续时间为5s~7s。

4.根据权利要求3所述的工艺,其特征在于,所述电池片第二表面退火处理的温度为510℃~580℃,第二表面退火处理的持续时间为12s~24s。

5.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述烘干处理的温度为210℃~260℃,烘干处理的时间为24s~36s,烘干处理的升温速率为5℃/s~15℃/s。

6.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述第一表面烧结处理的时间为12s~25s。

7.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述电池片烧结处理的带速为5m/min~13m/min。

8.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,在所述烧结处理过程中,对所述电池片从覆盖导电浆料的侧面或导电浆料相对的侧面进行加热。

9.根据权利要求2所述的工艺,其特征在于,所述电池片烧结处理的预设温度差为35℃~170℃。

10.根据权利要求4所述的工艺,其特征在于,所述电池片退火处理的预设温度差为5℃~150℃。

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