[发明专利]排气组件、半导体工艺设备和晶圆冷却控制方法

权利要求书

1.一种排气组件，应用于半导体工艺设备的冷却腔，其特征在于，所述排气组件包括壳体、导气盒、阀板、第一驱动机构和第二驱动机构，所述壳体的内部具有排气腔，所述导气盒设置在所述排气腔中；所述排气腔上形成有第一进气口和第一排气口，所述第一进气口用于与所述冷却腔的出气口连接，所述第一驱动机构用于驱动所述导气盒运动，以通过所述导气盒的一侧表面选择性地封闭所述第一进气口；所述导气盒上形成有第二进气口和第二排气口，所述第二进气口形成在所述导气盒用于封闭所述第一进气口的表面上，且所述第二进气口位于所述第一进气口在该表面上的投影内，所述第二驱动机构用于驱动所述阀板选择性地封闭所述第二进气口。

2.根据权利要求1所述的排气组件，其特征在于，所述排气组件还包括隔板，所述隔板设置在所述壳体中，并将所述壳体的内腔分隔为匀气腔和所述排气腔，所述第一排气口形成在所述壳体上，所述第一进气口形成在所述隔板上，所述壳体上还形成有总进气口，所述第一进气口用于通过所述匀气腔及所述总进气口与所述冷却腔的出气口连接。

3.根据权利要求2所述的排气组件，其特征在于，所述总进气口位于所述壳体的底壁上，所述隔板平行于所述壳体的顶壁设置在所述壳体的顶壁与底壁之间，所述第一驱动机构设置在所述壳体的顶壁上，所述第二进气口形成在所述导气盒的底壁上，所述第二驱动机构设置在所述导气盒的顶壁上。

4.根据权利要求3所述的排气组件，其特征在于，所述第一驱动机构包括第一气缸，所述第二驱动机构包括第二气缸，所述第一气缸固定设置在所述壳体上，所述第一气缸的活塞杆与所述导气盒连接，所述第二气缸固定设置在所述导气盒上，所述第二气缸的活塞杆与所述阀板连接。

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的排气组件，其特征在于，所述排气组件还包括环形密封垫，所述环形密封垫环绕所述第一进气口设置在所述隔板上，用于在所述第二驱动机构驱动所述阀板封闭所述第二进气口时，与所述阀板接触。

6.一种半导体工艺设备，包括冷却腔，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括权利要求1至5中任意一项所述的排气组件，所述排气组件的第一进气口与所述冷却腔的出气口连接。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述排气组件还包括隔板，所述隔板设置在所述壳体中，并将所述壳体的内腔分隔为匀气腔和所述排气腔，所述第一排气口形成在所述壳体上，所述第一进气口形成在所述隔板上，所述壳体上还形成有总进气口，所述第一进气口通过所述匀气腔及所述总进气口与所述冷却腔的出气口连接；

所述半导体工艺设备还包括采样模组，所述壳体对应于所述匀气腔的表面上形成有采样口，所述采样模组用于通过所述采样口检测所述匀气腔中的气体状态。

8.根据权利要求6或7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括进气腔、进气组件、送风组件和冷却组件，所述进气组件用于向所述进气腔中通入气体，所述送风组件用于将所述进气腔中的气体吹入所述冷却腔中，所述冷却组件用于对由所述冷却腔流回所述进气腔的气体进行冷却。

9.一种晶圆冷却控制方法，其特征在于，所述控制方法应用于权利要求6至8中任意一项所述的半导体工艺设备，所述控制方法包括：

在控氧降温工艺中，控制所述第一驱动机构驱动所述导气盒封闭所述第一进气口，向所述冷却腔中通入预定冷却气体，并根据所述冷却腔中的气体压力控制所述第二驱动机构驱动所述阀板开启或封闭所述第二进气口；

在非控氧降温工艺中，向所述冷却腔中通入大气，并控制所述第一驱动机构驱动所述导气盒远离所述第一进气口，以将所述第一进气口打开。

10.根据权利要求9所述的晶圆冷却控制方法，其特征在于，所述半导体工艺设备为权利要求7所述的半导体工艺设备，在所述控氧降温工艺中，根据所述冷却腔中的气体压力控制所述第二驱动机构驱动所述阀板开启或封闭所述第二进气口，包括：

通过所述采样模组获取所述匀气腔中的气体压力，并在所述气体压力高于预设压力时，控制所述第二驱动机构驱动所述阀板远离所述第二进气口，以将所述第二进气口打开；在所述气体压力不高于所述预设压力时，控制所述第二驱动机构驱动所述阀板封闭所述第二进气口。