[发明专利]输送装置和输送方法在审
| 申请号: | 202111031909.X | 申请日: | 2021-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN114171446A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 堀内友德;李东伟 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 输送 装置 方法 | ||
本发明涉及输送装置和输送方法。在同时输送多个基板的输送装置中适当地对在该输送装置保持的基板进行检测。输送装置以在俯视时重叠的方式保持并输送第1基板和第2基板,该输送装置包括:第1保持臂,在水平方向上保持第1基板;第2保持臂,在水平方向上保持第2基板;第1检测传感器,检测在第1保持臂保持的第1基板的有无;以及第2检测传感器,检测在第2保持臂保持的第2基板的有无,至少第1检测传感器由以下传感器构成:将第2保持臂作为基准面而照射光束,检测来自该基准面的扩散反射光和来自基板的扩散反射光的受光位置的不同,从而检测第1基板的有无,在至少第1保持臂的顶端部的内端形成供向第2保持臂照射的光束穿过的缺口。
技术领域
本公开涉及输送装置和输送方法。
背景技术
在专利文献1公开有以下等离子体处理系统,该等离子体处理系统包括:壳体,其在内部具备进行被处理物的送入送出的移载装置;容纳部,其附设于所述壳体的侧面,并在内部容纳所述被处理物;以及等离子体处理装置,其对所述被处理物进行处理。根据专利文献1所记载的等离子体处理系统,在所述壳体的上表面和下表面的相对位置形成窗部,在这些相对的窗部的壳体外侧配置有用于检测被处理物的有无的光元件传感器。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本实开平6-34253号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的技术在同时输送多个基板的输送装置中适当地对在该输送装置保持的基板进行检测。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案是以在俯视时第1基板和第2基板重叠的方式保持并输送所述第1基板和所述第2基板的输送装置,该输送装置包括:第1保持臂,其在水平方向上保持所述第1基板;第2保持臂,其在水平方向上保持所述第2基板;第1检测传感器,其检测在所述第1保持臂保持的所述第1基板的有无;以及第2检测传感器,其检测在所述第2保持臂保持的所述第2基板的有无,至少所述第1检测传感器由以下传感器构成:该传感器将所述第2保持臂作为基准面而照射光束,检测来自该基准面的扩散反射光和来自基板的扩散反射光的受光位置的不同,从而检测所述第1基板的有无,在至少所述第1保持臂的顶端部的内端形成供向所述第2保持臂照射的所述光束穿过的缺口。
发明的效果
根据本公开,在同时输送多个基板的输送装置中,能够适当地对在该输送装置保持的基板进行检测。
附图说明
图1是示意地表示实施方式的真空处理装置的结构例的俯视图。
图2是表示晶圆输送机构的结构例的立体图。
图3是表示在下部拾取部形成缺口的形成例的立体图。
图4是示意地表示实施方式的晶圆检测机构的结构例的纵剖视图。
图5是表示晶圆检测机构的设置例的说明图。
图6是表示实施方式的晶圆的输送方法的主要工序的流程图。
图7是表示实施方式的晶圆的输送方法的主要工序的说明图。
图8是表示实施方式的晶圆的输送方法的主要工序的流程图。
图9是表示实施方式的晶圆的输送方法的主要工序的说明图。
图10是表示在下部拾取部形成的缺口的效果的说明图。
图11是表示晶圆检测机构的其他结构例的说明图。
图12是表示晶圆检测机构的其他结构例的说明图。
图13是表示晶圆检测机构的其他结构例的说明图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





