[发明专利]半导体工艺设备及清洗方法

说明书

本发明公开一种半导体工艺设备及清洗方法，所述半导体工艺设备包括工艺槽、喷淋部和注液管；所述喷淋部(200)用于向所述工艺槽(100)内喷淋第一预设温度的清洗液，所述第一预设温度与所述工艺槽(100)的温度的温度差小于或等于第一预设阈值；所述注液管(300)与所述工艺槽(100)相连通，所述注液管(300)用于向所述工艺槽(100)内注入第二预设温度的清洗液，所述第二预设温度与所述工艺槽(100)的温度的温度差小于或等于第二预设阈值。上述方案能够解决工艺槽破裂的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备及清洗方法。

背景技术

随着科技的快速发展，智能手机、平板电脑等电子产品已经成为现代人生活中不可或缺的产品。这些电子产品内部包括有许多半导体芯片，而半导体芯片的主要制造材料就是晶圆。晶圆需要刻蚀出线路图案，通常采用半导体工艺设备对晶圆进行刻蚀。

晶圆在刻蚀完成后需要去除表面的光刻胶，相关技术中，硫酸和双氧水的混合液作为工艺药液对光刻胶进行去除。半导体工艺设备的工艺槽内装有工艺药液，晶圆放入工艺槽内，工艺药液能够对光刻胶进行腐蚀，进而去除晶圆表面残留的光刻胶。

当晶圆的去胶工艺完成后，工艺槽内沉积有大量的反应后的副产物，工艺槽内的环境脏污，因此需要对工艺槽进行清洗。相关技术中，在清洗工艺槽时，首先需要排放工艺药液，然后注入去离子水，对工艺槽进行循环清洗。

然而，由于工艺药液的温度较高，工艺槽排放完工艺药液后，工艺槽内的温度依然较高，直接注入低温的去离子水，容易造成工艺槽破裂。

发明内容

本发明公开一种半导体工艺设备及清洗方法，以解决工艺槽破裂的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种半导体工艺设备，包括：

工艺槽；

喷淋部，所述喷淋部用于向所述工艺槽内喷淋第一预设温度的清洗液，所述第一预设温度与所述工艺槽的温度的温度差小于或等于第一预设阈值；

注液管，所述注液管与所述工艺槽相连通，所述注液管用于向所述工艺槽内注入第二预设温度的清洗液，所述第二预设温度与所述工艺槽的温度的温度差小于或等于第二预设阈值。

一种清洗方法，上述的半导体工艺设备采用所述的清洗方法清洗，所述清洗方法包括：

S100、排出工艺槽内的工艺药液；

S200、开启所述喷淋部，以使所述喷淋部向所述工艺槽内喷淋第一预设温度的清洗液，所述第一预设温度与所述工艺槽的温度的温度差小于或等于第一预设阈值；

S300、开启所述注液管，以使所述注液管向所述工艺槽内注入第二预设温度的清洗液，所述第二预设温度与所述工艺槽的温度的温度差小于或等于第二预设阈值。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明公开的半导体工艺设备中，喷淋部能够向工艺槽内喷淋第一预设温度的清洗液，第一预设温度与工艺槽的温度的温度差小于或等于第一预设阈值，此时喷淋部喷淋的清洗液的温度与工艺槽的温度相差不大，从而能够避免工艺槽的局部急剧降温，因此使得工艺槽不容易破裂，提高了半导体工艺设备的安全性。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；

图2和图3为本发明实施例公开的半导体工艺设备的部分部件的结构示意图；