[发明专利]一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法。该太阳能电池包括：硅基体、钝化接触结构以及金属电极；其中，钝化接触结构设置于硅基体的背面；金属电极与钝化接触结构欧姆接触；其中，金属电极为类长方体结构，类长方体结构的高宽比小于0.05。该太阳能电池有效降低了工艺制造难度以及太阳能组件成本，同时，进一步提升了太阳能电池的效率。

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法。

背景技术

太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置，影响太阳能电池工作效率的主要因素有：开路电压、短路电流以及填充因子。

现有技术中，对于背面制备栅线金属电极的双面太阳能电池来说，为了避免背面金属电极对背面入射光的遮挡，常常通过缩窄金属电极的栅线宽度，以保障背面入射光的吸光面积，进而提高短路电流。

现有方法中的金属电极的栅线结构，虽然增加了短路电流，但较窄的栅线也减少了金属电极与硅片的接触面积，导致接触电阻升高，使得填充因子降低，因此对太阳能电池的效率提升有限。

发明内容

有鉴于此，本发明所要解决的技术问题在于，提供一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法，该太阳能电池的金属电极呈宽扁状的(高宽比小于0.05)类长方体结构，降低了工艺制造难度以及太阳能组件成本，同时，较宽的金属电极可以反射由正面入射且透过硅基体的太阳光，使得硅基体对金属电极的反射光进行二次吸收，进一步提升了太阳能电池的效率。

为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：

第一方面，本发明提供一种太阳能电池，包括：硅基体、钝化接触结构以及金属电极；其中，

钝化接触结构设置于硅基体的背面；

金属电极与钝化接触结构欧姆接触；其中，金属电极为类长方体结构，类长方体结构的高宽比小于0.05。

进一步地，类长方体结构的宽度范围为65～200μm；

和/或，

高度范围为3～8μm。

进一步地，位于硅基体的正面的金属电极的宽度，小于位于硅基体的背面的金属电极的宽度。

进一步地，钝化接触结构进一步包括：设置于硅基体的背面的第一钝化层和包含掺杂元素的硅薄膜层，其中，第一钝化层位于硅基体与硅薄膜层之间，掺杂元素为硼或磷。

进一步地，第一钝化层为单种非金属氧化物组成的单层膜、多种非金属氧化物组成的叠层膜、或至少一种金属氧化物与至少一种非金属氧化物组成的叠层膜；其中，非金属氧化物为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，金属氧化物为氧化铝、氧化钛；第一钝化层的厚度为0.5nm～2.5nm。

进一步地，硅薄膜层为微晶硅、非晶硅、多晶硅、氧化硅以及碳化硅中任一种组成的单层膜或任几种组成的叠层膜，硅薄膜层的厚度为5nm～200nm。

进一步地，掺杂元素的掺杂浓度为1.0E¹⁹atoms/cm³～2.0E²¹atoms/cm³，

掺杂深度小于或等于硅薄膜层的厚度。

进一步地，在钝化接触结构远离硅基体的背面的一侧，设置有第二钝化层。

进一步地，第二钝化层为单种非金属氧化物组成的单层膜、多种非金属氧化物组成的叠层膜、或至少一种金属氧化物与至少一种非金属氧化物组成的叠层膜；其中，非金属氧化物为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，金属氧化物为氧化铝、氧化钛；第二钝化层的厚度为30～300nm。

第二方面，本发明实施例提供一种太阳能电池的制备方法，包括：