[发明专利]一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基体(10)、钝化接触结构(20)以及金属电极(30)；其中，

所述钝化接触结构(20)设置于所述硅基体(10)的背面(102)；

所述金属电极(30)与所述钝化接触结构(20)欧姆接触；其中，所述金属电极(30)为类长方体结构，所述类长方体结构的高宽比小于0.05。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述类长方体结构的宽度范围为65～200μm；

和/或，

高度范围为3～8μm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

位于所述硅基体(10)的正面(101)的金属电极的宽度，小于位于所述硅基体(10)的背面(102)的金属电极(30)的宽度。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述钝化接触结构(20)进一步包括：设置于所述硅基体(10)的背面(102)的第一钝化层(201)和包含掺杂元素的硅薄膜层(202)，其中，所述第一钝化层(201)位于所述硅基体(10)与所述硅薄膜层(202)之间，所述掺杂元素为硼或磷。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，

所述第一钝化层(201)为单种非金属氧化物组成的单层膜、多种非金属氧化物组成的叠层膜、或至少一种金属氧化物与至少一种非金属氧化物组成的叠层膜；其中，所述非金属氧化物为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，所述金属氧化物为氧化铝、氧化钛；所述第一钝化层(201)的厚度为0.5nm～2.5nm。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，

所述硅薄膜层(202)为微晶硅、非晶硅、多晶硅、氧化硅以及碳化硅中任一种组成的单层膜或任几种组成的叠层膜，所述硅薄膜层(202)的厚度为5nm～200nm。

7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，

所述掺杂元素的掺杂浓度为1.0E¹⁹atoms/cm³～2.0E²¹atoms/cm³，

掺杂深度小于或等于所述硅薄膜层(202)的厚度。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

在所述钝化接触结构(20)远离所述硅基体(10)的背面(102)的一侧，设置有第二钝化层(40)。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，

所述第二钝化层(40)为单种非金属氧化物组成的单层膜、多种非金属氧化物组成的叠层膜、或至少一种金属氧化物与至少一种非金属氧化物组成的叠层膜；其中，所述非金属氧化物为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，所述金属氧化物为氧化铝、氧化钛；所述第二钝化层(40)的厚度为30～300nm。

10.权利要求1～9任一所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括，

在硅基体(10)的背面(102)形成钝化接触结构(20)；

通过丝网印刷制备金属电极(30)，使得所述金属电极(30)与所述钝化接触结构(20)实现欧姆接触；其中，所述金属电极(30)为类长方体结构，所述类长方体结构的高宽比小于0.05。