[发明专利]一种用于OLED封装的薄膜封装结构及有机发光二极管器件在审
| 申请号: | 202110984441.X | 申请日: | 2021-08-25 | 
| 公开(公告)号: | CN113991035A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 | 
| 发明(设计)人: | 杨正杰;翟保才;段丹妮 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50 | 
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 党蕾 | 
| 地址: | 201500 上海*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 oled 封装 薄膜 结构 有机 发光二极管 器件 | ||
1.一种用于OLED封装的薄膜封装结构,其特征在于,所述薄膜封装结构包括依次覆盖于所述基板上表面的第一有机层以及第一无机层,其中,所述第一无机层包括复数层薄膜层形成的堆叠结构。
2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述第一有机层的材料包括SiOC。
3.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述第一有机层的厚度为0.3~0.8um。
4.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述第一无机层的复数层薄膜层包括SiNx层和/或SiON层和/或SiOx层和/或AlOx层和/或TiOx层。
5.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,第一无机层的厚度为0.6~1.2um。
6.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述堆叠结构包括材料相同或材料不同的第一无机薄膜层、第二无机薄膜层以及第三无机薄膜层中的至少两种薄膜层形成。
7.根据权利要求6所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述堆叠结构包括复数层所述第一无机薄膜层和复数层所述第二无机薄膜层交叠形成,单层所述第一无机薄膜层与单层所述第二无机薄膜层的厚度均为10~30nm,且所述第一无机薄膜层的厚度小于所述第二无机薄膜层的厚度。
8.根据权利要求6所述的薄膜封装结构,其特征在于,当所述第一无机薄膜层与所述第二无机薄膜层的材料相同时,所述第一无机薄膜层与所述第二无机薄膜层的材料具有不同的疏密度。
9.根据权利要求6所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述堆叠结构包括所述第一无机薄膜层、所述第二无机薄膜层以及所述第三无机薄膜层交叠形成,所述第三无机薄膜层设置于所述第一无机薄膜层与所述第二无机薄膜层之间。
10.根据权利要求9所述的薄膜封装结构,其特征在于,单层所述第一无机薄膜层、单层所述第二无机薄膜层以及单层所述第三无机薄膜层的厚度均为10~30nm,所述第一无机薄膜层的厚度小于所述第二无机薄膜层的厚度,所述第三无机薄膜层的厚度大于所述第一无机薄膜层的厚度且小于所述第二无机薄膜层的厚度。
11.根据权利要求6所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述堆叠结构包括所述第一无机薄膜层和所述第三无机薄膜层,且单层所述第一无机薄膜层以及单层所述第三无机薄膜层的厚度均为10~30nm。
12.根据权利要求11所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述第一无机薄膜层的材料包括AlOx,所述第三无机薄膜层的材料包括SiOx,所述第三无机薄膜层设置于所述第一无机薄膜层和所述第一有机层之间。
13.根据权利要求1-11中任一所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述第一无机层的上表面覆盖有第二无机层,所述第二无机层包括多层不同疏密度的薄膜组成的疏密结构。
14.根据权利要求1中所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述第一无机层的上表面覆盖有功能层。
15.一种有机发光二极管器件,包括基板以及设置于所述基板上的功能器件,其特征在于,还包括如权利要求1-14中任一所述的薄膜封装结构,用于将所述功能器件封装于所述基板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





