[发明专利]一种全光谱灯珠LED芯片及全光谱低UGR低蓝光灯具在审
| 申请号: | 202110984428.4 | 申请日: | 2021-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN113725329A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
| 发明(设计)人: | 龙水云;王伟纳 | 申请(专利权)人: | 贝发集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/12;H01L33/32;F21S2/00;F21V19/00;H05B45/10;H05B45/30;H05B45/325;F21Y115/10 |
| 代理公司: | 杭州知见专利代理有限公司 33295 | 代理人: | 卢金元 |
| 地址: | 315800 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光谱 led 芯片 ugr 低蓝光 灯具 | ||
1.一种全光谱灯珠LED芯片,其特征在于,包括碳化硅衬底,所述碳化硅衬底上设有连续禁带的两个以上发光芯片区域,不同发光芯片区域的发光材料均为InGaN三元材料,通过调节InGaN三元材料中In:Ga的比例,从而制作出从红外到紫外不同波段的发光芯片区域,达到同一衬底上单一材料体系的全光谱LED。
2.根据权利要求1所述的一种全光谱灯珠LED芯片,其特征在于,发光芯片区域电极采用水平电极结构或垂直电极结构。
3.根据权利要求1所述的一种全光谱灯珠LED芯片,其特征在于,发光芯片区域电极采用水平共阳电极结构,水平共阳电极结构包括上侧共用部和下侧的分区部,分区部的分区数量与发光芯片区域的数量相一致;
共用部从上至下依次包括P型电极和P型GaN层;
每个分区部从上至下依次包括:InGaN多量子阱层、N型GaN层、高温GaN缓冲层、低温GaN缓冲层、碳化硅衬底和保护层,N型GaN层上表面的外侧还设有N型电极。
4.根据权利要求3所述的一种全光谱灯珠LED芯片,其特征在于,P型GaN层厚度为120-180nm,InGaN多量子阱层厚度为2-6nm,N型GaN层厚度为10-15nm,高温GaN缓冲层厚度为2-4μm,低温GaN缓冲层厚度为40-60nm,碳化硅衬底厚度为15-25μm,保护层厚度10-15nm。
5.一种全光谱低UGR低蓝光灯具,其特征在于,包括外壳,外壳顶面外侧贴装有若干条上灯板,上灯板的上侧面交替贴有主发光灯珠和补光灯珠,主发光灯珠和补光灯珠的出光方向均竖直向上;外壳顶面内侧贴装有若干条下灯板,下灯板上交替贴有主发光灯珠和补光灯珠,主发光灯珠和补光灯珠的出光方向均竖直向下;所有的主发光灯珠和补光灯珠均与控制电路连接;主发光灯珠的芯片为权利要求1所述的全光谱灯珠LED芯片。
6.根据权利要求5所述的一种全光谱低UGR低蓝光灯具,其特征在于,还包括格栅和扩散罩,所述格栅和扩散罩通过铝框安装在外壳底面,扩散罩在格栅的下方,格栅外层镀有反光铝。
7.根据权利要求5或6所述的一种全光谱低UGR低蓝光灯具,其特征在于,主发光灯珠包括色温为2700K的灯珠和色温为6500K的灯珠,补光灯珠包括波长是660nm和750nm的灯珠,四种灯珠依次交替排列。
8.根据权利要求7所述的一种全光谱低UGR低蓝光灯具,其特征在于,所述控制电路包括调光模组电路,调光模组电路包括控制IC,控制IC为DIO8280,控制IC的1脚连接储能电感LS41的第二端,储能电感LS41的第一端连接控制IC的5脚和6脚,控制IC的2脚为输入PWM信号的调光控制脚,电阻RS32的第一端连接控制IC的2脚,电阻RS32的第二端连接直流电压输入端负极GND,控制IC的3脚通过调光电压滤波电容CS31连接直流电压输入端负极GND,控制IC的4脚连接直流电压输入端负极GND,控制IC的7脚连接直流电压输入端正极VIN,输入滤波电容CS11跨接在直流电压输入端的正极和负极之间,直流电压输入端正极VIN也即为输出端正极LED+,控制IC的8脚通过电阻RS32连接输出端负极LED-,续流二极管DS41的正极连接储能电感LS41的第一端,续流二极管DS41的负极连接输出端正极LED+,输出滤波电容CS41的第一端连接输出端正极LED+,输出滤波电容CS41的第二端连接储能电感LS41的第二端,电流采样电阻RS41A的第一端连接输出端负极LED-,电流采样电阻RS41A的第二端连接储能电感LS41的第二端,电流采样电阻RS41B和电流采样电阻RS41A并联,输出端正极LED+和输出端负极LED-连接上灯板的主发光灯珠和补光灯珠。
9.根据权利要求8所述的一种全光谱低UGR低蓝光灯具,其特征在于,所述控制电路还包括驱动电路,所述驱动电路包括反激变换IC、供电模组US61、无线调光控制模组US54和4个调光模组,反激变换IC为KP2123SG,反激变换IC的1脚通过串联的电阻RS61B和电阻RS61A连接电感L21的第二端,电感L21的第一端连接整流桥BS11的输出端正极,整流桥BS11的输出端负极接地,整流桥BS11的输入端连接市电;电容C11跨接在整流桥BS11的输出端正极和输出端负极之间,电容CD21的第一端连接电感L21的第二端,电容CD21的第二端接地;电容CS61的第一端连接反激变换IC的1脚,电容CS61的第二端接地,电容CD61和电容CS61并联,二极管DS61的负极通过电阻RS61C连接反激变换IC的1脚,二极管DS61的正极通过电感L41C接地;反激变换IC的3脚通过电阻RS31A连接二极管DS61的正极,反激变换IC的8脚接地,电阻RS31B跨接在反激变换IC的3脚和8脚之间,反激变换IC的4脚通过电阻RS41A接地,电阻RS41B和电阻RS41A并联,电容CS42跨接在反激变换IC的4脚和5脚之间,反激变换IC的5脚和6脚连接二极管DS21的正极,二极管DS21的正极连接电容CS21的第一端,电容CS21的第二端连接电感L21的第二端,电阻RS21A和电阻RS21B都与电容CS21并联,变压器输入绕组L41A的第一端连接电感L21的第二端,变压器输入绕组L41A的第二端连接二极管DS21的正极,变压器输出绕组L41B的第一端连接二极管D41的正极,变压器输出绕组的第二端连接SGND,二极管D41的负极为输出电压CV端,电容CD41的第一端连接输出电压CV端,电容CD41的第二端连接SGND,电阻RS51和电容CD41并联;无线调光控制模组US54为BWZBM02,4个调光模组均为M-DIO8280,4个调光模组的1脚均连接输出电压CV端,4个调光模组的3脚均连接SGND,无线调光控制模组US54的3脚、6脚、7脚和5脚分别连接第一调光模组U51A的2脚、第二调光模组U51B的2脚、第三调光模组U51C的2脚和第四调光模组U51D的2脚,无线调光控制模组US54的2脚连接电源3.3V,供电模组US61的1脚连接输出电压CV端,供电模组US61的2脚输出电源3.3V,供电模组US61的3脚连接SGND;第一调光模组的1脚和4脚连接下灯板的2700K的灯珠,第二调光模组的1脚和4脚连接下灯板的6500K的灯珠,第三调光模组的1脚和4脚连接下灯板的波长为660nm的灯珠,第二调光模组的1脚和4脚连接下灯板的波长为750nm的灯珠。
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