[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110984252.2 | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN113690289A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 崔钊;张楠;张锋;刘文渠;吕志军;董立文;孟德天;王利波;侯东飞;李柳青;黄海涛;姚琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括多个像素岛区、多个连接桥区和多个隔离区,所述连接桥区位于相邻像素岛区之间,被配置为通过连接线实现相邻像素岛区的信号连通,所述隔离区位于相邻像素岛区之间除所述连接桥区所在区域以外的区域;在垂直于显示基板的平面上,所述显示基板包括叠设的发声显示结构层和空腔结构层,所述发声显示结构层包括设置在基底上的发声结构层和设置在所述发声结构层远离所述基底一侧的显示结构层,所述空腔结构层设置在所述基底远离所述显示结构层的一侧;至少一个隔离区的发声结构层和显示结构层上设置有隔离槽。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素岛区的发声结构层包括设置在所述基底上的第一电极层、设置在所述第一电极层远离所述基底一侧的压电层、设置在所述压电层远离所述基底一侧的第二电极层和设置在所述第二电极层远离所述基底一侧的保护层;所述第一电极层包括至少一个第一电极,所述第二电极层包括至少一个第二电极,所述第一电极在所述基底上的正投影与所述第二电极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述空腔结构层包括设置在所述基底远离所述显示结构层一侧的第一粘结层和设置在所述第一粘结层远离所述基底一侧的衬底层,所述衬底层上设置有至少一个空腔,所述空腔为在所述衬底层靠近所述基底一侧开设的凹槽,或者,所述空腔为在所述衬底层上开设的通孔;所述空腔在所述基底上的正投影与所述发声结构层中的第一电极或第二电极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述空腔结构层还包括设置在所述衬底层远离所述基底一侧的第二粘结层和设置在所述第二粘结层远离所述基底一侧的反射层。
5.根据权利要求1~4任一所述的显示基板,其特征在于,所述连接桥区的发声结构层包括设置在所述基底上的压电层和设置在所述压电层远离所述基底一侧的保护层;所述连接桥区的显示结构层包括设置在所述保护层上的第一无机层、设置在所述第一无机层远离所述基底一侧的第一有机层、设置在所述第一有机层远离所述基底一侧的连接线和覆盖所述连接线的第二有机层。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述像素岛区的显示结构层包括设置在所述发声结构层远离所述基底一侧的驱动结构层和设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的发光结构层;所述驱动结构层包括设置在所述保护层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层远离所述基底一侧的晶体管和覆盖所述晶体管的第二平坦层;所述连接桥区的第一无机层与所述像素岛区的第一绝缘层同层设置,所述连接桥区的连接线与所述像素岛区的晶体管的源电极和漏电极同层设置,所述连接桥区的第二有机层与所述像素岛区的第二平坦层同层设置。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~6任一所述的显示基板。
8.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板包括多个像素岛区、多个连接桥区和多个隔离区,所述连接桥区位于相邻像素岛区之间,被配置为通过连接线实现相邻像素岛区的信号连通,所述隔离区位于相邻像素岛区之间除所述连接桥区所在区域以外的区域;所述制备方法包括:
分别形成发声显示结构层和空腔结构层,所述形成发声显示结构层包括:在基底上依次形成发声结构层和设置在所述发声结构层远离所述基底一侧的显示结构层,至少一个隔离区的发声结构层和显示结构层上设置有隔离槽;
将所述空腔结构层贴设在所述基底远离所述显示结构层的一侧。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在基底上依次形成发声结构层和设置在所述发声结构层远离所述基底一侧的显示结构层,至少一个隔离区的发声结构层和显示结构层上设置有隔离槽,包括:
在基底上形成发声结构层,所述连接桥区和隔离区的发声结构层包括设置在所述基底上的压电层以及设置在所述压电层远离所述基底一侧的保护层;
在所述发声结构层上形成显示结构层,在至少一个隔离区的发声结构层和显示结构层上形成隔离槽,所述隔离槽暴露出所述基底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的