[发明专利]非易失性存储器设备、存储设备以及存储设备的操作方法

说明书

公开了非易失性存储器设备、包括非易失性存储器设备的存储设备以及存储设备的操作方法。该存储设备包括非易失性存储器设备和存储器控制器，该非易失性存储器设备包括与多条第一字线连接的第一存储器块，该存储器控制器通过多条数据线与该非易失性存储器设备连接。存储器控制器在第一命令输入时段期间通过多条数据线向非易失性存储器设备发送第一命令，在地址输入时段期间通过多条数据线向非易失性存储器设备发送参数，在第二命令输入时段期间通过多条数据线向非易失性存储器设备发送第二命令。非易失性存储器设备响应于第一命令和第二命令，在第一时间期间基于该参数向与第一存储器块连接的所有的多条第一字线施加导通电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年10月28日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0141067号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本文描述的本公开的实施例涉及半导体存储器，并且更具体地，涉及非易失性存储器设备、包括非易失性存储器设备的存储设备以及存储设备的操作方法。

背景技术

半导体存储器被分类为易失性存储器设备(诸如静态随机存取存储器(staticrandom access memory，SRAM)、动态RAM(dynamic RAM，DRAM)、和同步DRAM(synchronousDRAM，SDRAM))和非易失性存储器设备(诸如只读存储器(read only memory，ROM)、可编程ROM(programmable ROM，PROM)、电可编程ROM(electrically programmable ROM，EPROM)、电可擦除可编程ROM(electrically erasable and programmable ROM，EEPROM)、闪存设备、相变RAM(phase-change RAM，PRAM)、磁RAM(magnetic RAM，MRAM)、电阻RAM(resistiveRAM，RRAM)以及铁电RAM(ferroelectric RAM，FRAM))，易失性存储器设备在电源电压被关闭时丢失存储在其中的数据，非易失性存储器设备即使在电源电压被关闭时也保留存储在其中的数据。

随着半导体制造技术的发展，存储设备的集成度和容量不断增加。存储设备的高度集成使得降低制造存储设备所需的成本成为可能。然而，如果存储设备由于其高度集成而按比例缩小，则会出现各种新问题。由于这种问题导致存储在存储设备中的数据损坏，存储设备的可靠性可能降低。

发明内容

本公开的实施例提供了一种具有改进性能的非易失性存储器设备、包括该非易失性存储器设备的存储设备以及该存储设备的操作方法。

根据实施例，存储设备包括非易失性存储器设备和存储器控制器，该非易失性存储器设备包括与多条第一字线连接的第一存储器块，该存储器控制器通过所述多条数据线与非易失性存储器设备连接。存储器控制器在第一命令输入时段期间通过所述多条数据线向非易失性存储器设备发送第一命令，在地址输入时段期间通过所述多条数据线向非易失性存储器设备发送参数，并且在第二命令输入时段期间通过所述多条数据线向非易失性存储器设备发送第二命令。非易失性存储器设备响应于第一命令和第二命令，在第一时间期间基于该参数向与第一存储器块连接的所有的所述多条第一字线施加导通电压。

根据实施例，非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块；控制逻辑电路，从外部设备接收命令；以及地址解码器，通过多条字线与该存储器单元阵列连接，并且在接收命令的该控制逻辑电路的控制下，向与所述多个存储器块连接的多条字线施加导通电压。