[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置在审
申请号: | 202110977077.4 | 申请日: | 2021-08-24 |
公开(公告)号: | CN113675253A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 张雅倩;黄浩;王博;韩丛珍;张乐;熊正平;刘祺;齐超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘红彬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置,该显示面板包括扇出区;扇出区包括:衬底基板;位于衬底基板一侧的扇出走线膜层组,扇出走线膜层组包括在衬底基板上依次形成的至少两层扇出走线金属层,每两层相邻的扇出走线金属层之间形成有绝缘层,每层扇出走线金属层包括多条扇出走线;位于扇出走线膜层组远离衬底基板一侧的层间介质层;位于层间介质层远离扇出走线膜层组一侧的信号线金属层,信号线金属层包括信号线金属图案以及填充于信号线金属图案以外区域的有机膜层;位于信号线金属层背离层间介质层一侧的无机膜层。该显示面板能够减少无机膜层因外部应力导致的裂缝,减少外界水汽侵入显示面板,有效降低了扇出走线产生线不良的风险。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,特别涉及一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
有机电致发光(OLED)显示面板的扇出区中的扇出走线分布于不同的金属走线层中,如图1所示为现有显示面板的结构示意图。在扇出区金属走线层的上方形成无机膜层02,由于金属走线层中的扇出走线01的存在,无机膜层02成膜后具有爬坡区域,爬坡区域应力集中,在外力作用下容易产生裂纹。在后续信赖性过程中,水汽通过裂缝位置进入显示面板,可能对扇出走线进行腐蚀,导致线不良的问题。
发明内容
本发明提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置,上述显示面板能够减少无机膜层上因外部应力导致的裂缝,减少外界水汽侵入显示面板,有效降低了扇出走线产生线不良的风险。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示面板,包括显示区和位于所述显示区一侧的扇出区;所述扇出区包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板一侧的扇出走线膜层组,所述扇出走线膜层组包括在所述衬底基板上依次形成的至少两层扇出走线金属层,每两层相邻的扇出走线金属层之间形成有绝缘层,每层所述扇出走线金属层包括多条扇出走线;
位于所述扇出走线膜层组远离所述衬底基板一侧的层间介质层;
位于所述层间介质层远离所述扇出走线膜层组一侧的信号线金属层,所述信号线金属层包括信号线金属图案以及填充于所述信号线金属图案以外区域的有机膜层;
位于所述信号线金属层背离所述层间介质层一侧的无机膜层。
上述发明实施例提供的显示面板中,包括显示区以及位于所述显示区一侧的扇出区,其中,扇出区包括衬底基板、位于衬底基板一侧的扇出走线膜层组、位于扇出走线膜层组远离衬底基板一侧的层间介质层、位于层间介质层远离扇出走线膜层组一侧的信号线金属层以及位于信号线金属层背离层间介质层一侧的无机膜层,扇出走线膜层组包括在衬底基板上依次形成的至少两层扇出走线金属层,每相邻的扇出走线金属层之间形成有绝缘层,每层扇出走线金属层包括多条扇出走线,由于信号线金属层包括信号线金属图案以及填充于信号线金属图案以外区域的有机膜层,通过信号线金属层中信号线金属图案以外的区域填充的有机膜层,能够增加信号线金属层背离衬底基板的表面的平坦程度,减小了位于信号线金属层背离层间介质层一侧的无机膜层的爬坡程度,进而能够减少无机膜层上因外部应力导致的裂缝,减少外界水汽侵入显示面板,有效降低了扇出走线产生线不良的风险。
可选地,所述有机膜层背离所述衬底基板的表面不高于所述信号线金属图案与所述有机膜层的连接处背离所述衬底基板的表面。
可选地,所述有机膜层背离所述衬底基板的表面与所述信号线金属图案与所述有机膜层的连接处背离所述衬底基板的表面平齐。
可选地,所述有机膜层的厚度与所述信号线金属图案的厚度相同。
可选地,各层所述扇出走线金属层中的扇出走线个数相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的