[发明专利]用于交错互连线的过孔连接在审
申请号: | 202110972819.4 | 申请日: | 2021-08-24 |
公开(公告)号: | CN114256197A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | C·J·杰泽斯基;K·L·林 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/528 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 交错 互连 连接 | ||
公开了用于交错互连线的过孔连接。一种互连结构包括第一多个互连以及第二多个互连,其中,第一多个互连和第二多个互连交错,使得第二多个互连中的单个互连相对于第一多个互连中的单个互连横向偏移。互连结构还包括将第一多个互连中的单个互连耦合到第二多个互连中的单个互连的过孔。
技术领域
本公开的实施例涉及交错互连线,特别地,涉及用于交错互连线的过孔连接。
背景技术
在各种互连技术中,作为改进总体性能的手段,在结构之间使用低k层间电介质(ILD)和气隙,以便减小线间电容(line-to-line capacitance)。使用低k ILD的互连结构在线间电容的改进与图案化能力和机械稳定性的降低之间进行折衷,并且因此可能难以集成。对于铜层,气隙的使用需要中等k蚀刻停止部,以对铜进行气密密封,并且防止其氧化。然而,该蚀刻停止材料填充互连线之间的空间,并且降低了总体电容收益。
附图说明
图1示出了根据先前方案的互连结构。
图2A示出了根据实施例的交错线互连结构。
图2B示出了根据实施例的包括交错线和交错线中的气隙的互连结构。
图2C示出了根据实施例的包括交错线的互连结构,其中在每个交错线中具有气隙。
图3A示出了根据先前方案的过孔连接。
图3B示出了根据实施例的过孔连接。
图3C和图3D示出了根据实施例的过孔连接。
图4A-图4K示出了根据实施例的在互连结构的制造期间的各个阶段处的互连结构的截面图。
图5A-图5D示出了根据实施例的在互连结构的制造期间的各个阶段处的互连结构的截面图。
图6示出了根据实施例的互连结构的截面图。
图7A-图7L示出了根据实施例的在互连结构的制造期间的各个阶段处的互连结构的截面图。
图8A-图8M示出了根据实施例的互连结构的不同架构。
图9示出了根据实施例的用于形成互连结构的方法的流程图。
图10示出了根据实施例的计算机系统的示意图。
图11示出了包括实施例的一个或多个实施方式的内插器。
具体实施方式
描述了用于交错互连线的过孔连接。应当理解,尽管本文参考示例性交错互连线实施方式描述了实施例,但是本公开更一般地适用于交错互连线实施方式以及其他类型的交错互连线实施方式。在以下描述中,阐述了很多具体细节,例如,具体的集成和材料体系,以便提供对本公开的实施例的透彻理解。对本领域技术人员将显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开的实施例。在其他实例中,没有详细描述公知特征,例如,集成电路设计布局,以避免不必要地使本公开的实施例难以理解。此外,应当理解,附图中所示的各种实施例是说明性表示,并且不一定是按比例绘制的。
某些术语也可以用于以下描述中,以仅用于参考的目的,并且因此不旨在限制。例如,诸如“上部”、“下部”、“上方”和“下方”的术语是指所参考的附图中的方向。诸如“正面”、“背面”、“后面”和“侧面”的术语描述了部件的部分在一致但任意的参照系内的取向和/或位置,通过参考描述所讨论的部件的文本和相关联的附图,这是清楚的。此类术语可以包括上面具体提及的词语、其衍生词以及类似含义的词语。
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