[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

对硅片进行碱溶液双面抛光，获得表面具有方块结构的硅片；

对抛光后的所述硅片进行单面硼扩散，获得硼扩散层；

去除所述硼扩散层表面上印刷区域对应的硼硅玻璃层，以及所述硅片上远离所述硼扩散层一侧的硼硅玻璃层，所述印刷区域为丝网印刷制备背面电极的区域；

对去除硼硅玻璃层后的所述硅片进行双面制绒；

对制绒后的所述硅片上远离所述硼扩散层一侧进行磷扩散，形成磷扩散层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片的厚度为150μm～180μm；

所述碱溶液采用浓度为3.5％～4.5％的氢氧化钾溶液。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述硼扩散层表面上印刷区域对应的硼硅玻璃层，以及所述硅片上远离所述硼扩散层一侧的硼硅玻璃层，包括：

采用激光开膜去除硼扩散层表面上印刷区域对应的硼硅玻璃层，所述激光的功率13W～17W；

采用浓度为38％～42％的氢氟酸去除所述硅片上远离所述硼扩散层一侧的硼硅玻璃层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对去除硼硅玻璃层后的所述硅片进行双面制绒，包括：

采用浓度为0.8％～1.2％的氢氧化钾溶液对去除硼硅玻璃层后的所述硅片进行双面制绒。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷扩散层的方阻为45Ω/□～55Ω/□。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括对磷扩散后的所述硅片进行清洗、退火、钝化、丝网印刷以及烧结，其中：

所述对磷扩散后的所述硅片进行清洗，包括去除所述硅片表面上非印刷区域对应的硼硅玻璃层；

所述退火为在650℃～750℃的温度下对清洗后的所述硅片进行退火；

所述钝化包括在退火后的所述硅片接近硼扩散层的一侧制备氧化铝和氮化硅钝化膜，以及在退火后的所述硅片接近磷扩散层的一侧制备氧化硅和氮化硅钝化膜；

所述丝网印刷包括在所述氧化铝和氮化硅钝化膜的表面丝网印刷制备背面电极前体，以及在所述氧化硅和氮化硅钝化膜丝网印刷制备正面电极前体；

对丝网印刷后的所述硅片进行烧结，获得所述太阳能电池。

7.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池根据权利要求1～6任一项所述的方法制备得到；

所述太阳能电池的背表面上包括非印刷区域，以及背面电极的印刷位置对应的印刷区域，所述非印刷区域为方块结构，所述印刷区域为绒面结构。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的背表面从内至外依次还包括硅片本体、硼扩散层和氧化铝和/或氮化硅钝化层。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述方块结构中分布的方块尺寸为4μm～6μm。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述硼扩散层的方阻为120Ω/□～140Ω/□。