[发明专利]薄膜晶体管、其制作方法及显示面板

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管、其制作方法及显示面板。所述薄膜晶体管中通过漏极与有源层的肖特基接触，增大该区域的电阻，从而抑制电流逆向从漏极经过金属层、有源层传输至源极，而当阈值电压为负时，由于肖特基接触的存在，可以抑制、减小源极通过有源层流向漏极的漏电流，提升薄膜晶体管的电学稳定性，能够更长时间地稳定工作。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体、其制作方法及显示面板。

背景技术

随着大尺寸、高解析度的电子产品受到越来越多的关注，对薄膜晶体管的性能也提出了越来越高的要求，尤其是晶体管的稳定性能够直接影响着产品的量产开发进度。目前，现有薄膜晶体管10的结构如图1所示，漏极18与源极19通过栅极17导通，电流可以由漏极18经过有源层14流向源极19，或是反向流动，视漏极18与源极19的点位高低而定。然而，当阈值电压为负时，栅极17透过栅极绝缘层极16施加在有源层14的电场不易将薄膜晶体管10关闭(OFF)，容易出现从源极19经过有源层14流向漏极18的漏电流，导致电子产品显示异常。

发明内容

本发明目的在于，解决现有薄膜晶体管存在的漏电流问题。

为实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管，包括：衬底；设置于所述衬底上的有源层，所述有源层包括导体化区域和非导体化区域；以及分别与所述有源层连接的漏极和源极，其中，所述漏极和所述源极的材料包括金属，所述漏极与所述有源层的所述非导体化区域连接，所述源极与所述有源层的所述导体化区域连接。

可选的，所述薄膜晶体管还包括设置于所述源极和所述漏极之间的栅极绝缘层和设置于所述栅极绝缘层上的栅极，所述栅极绝缘层设置在所述有源层的所述非导体化区域上。

可选的，所述漏极与所述有源层的所述非导体化区域之间还包括金属层。

可选的，所述导体化区域还包括位于所述金属层所对应的所述非导体化区域与所述栅极绝缘层所对应的非导体化区域之间的区域。

可选的，所述金属层完全设置于所对应的所述非导体化区域内。

可选的，所述薄膜晶体管还包括：遮光层，设置于所述衬底与所述有源层之间；缓冲层，设置于所述遮光层与所述有源层之间；钝化层，覆盖于所述栅极与所述有源层上；所述钝化层开设有暴露至少部分所述金属层的第一通孔，所述漏极通过所述第一通孔与所述金属层连接。

可选的，所述钝化层还开设有暴露至少部分所述导体化区域的第二通孔以及暴露至少部分所述遮光层的第三通孔，所述源极通过所述第二通孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第三通孔与所述遮光层连接。

为达到上述目的，本发明还提供一种显示面板，包括多个像素单元，每个所述像素单元包括如前所述的薄膜晶体管。

为达到上述目的，本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成有源层；

在所述有源层上形成栅极绝缘层；

图案化所述栅极绝缘层以露出源极形成区；

在所述栅极绝缘层上形成栅极；

对所述有源层进行导体化；

形成钝化层覆盖所述栅极与所述有源层；

在所述钝化层开设第一通孔以及第二通孔，所述第二通孔暴露至少部分的所述源极形成区；

于所述第一通孔内形成漏极且于所述第二通孔内形成源极。