[发明专利]薄膜晶体管、其制作方法及显示面板有效
申请号: | 202110966612.6 | 申请日: | 2021-08-23 |
公开(公告)号: | CN113745342B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 杨树圳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/34 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 马广旭 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:
衬底;
设置于所述衬底上的有源层,所述有源层包括导体化区域和非导体化区域;以及
分别与所述有源层连接的漏极和源极,其中,所述漏极和所述源极的材料包括金属,所述漏极与所述有源层的所述非导体化区域连接,所述源极与所述有源层的所述导体化区域连接;
所述漏极与所述有源层的所述非导体化区域之间还包括金属层;
所述导体化区域还包括位于所述金属层所对应的所述非导体化区域与栅极绝缘层所对应的非导体化区域之间的区域,所述栅极绝缘层设置在所述有源层的所述非导体化区域上;
所述金属层完全设置于所对应的所述非导体化区域内,形成肖特基接触。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括设置于所述源极和所述漏极之间的栅极绝缘层和设置于所述栅极绝缘层上的栅极。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,
所述薄膜晶体管还包括:
遮光层,设置于所述衬底与所述有源层之间;
缓冲层,设置于所述遮光层与所述有源层之间;
钝化层,覆盖于所述栅极与所述有源层上;
所述钝化层开设有暴露至少部分所述金属层的第一通孔,所述漏极通过所述第一通孔与所述金属层连接。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述钝化层还开设有暴露至少部分所述导体化区域的第二通孔以及暴露至少部分所述遮光层的第三通孔,所述源极通过所述第二通孔与所述有源层连接,所述源极通过所述第三通孔与所述遮光层连接。
5.一种显示面板,其特征在于,包括多个像素单元,每个所述像素单元包括如权利要求1~4中任一项所述的薄膜晶体管。
6.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成有源层;
在所述有源层上形成栅极绝缘层;
图案化所述栅极绝缘层以露出源极形成区;
在所述栅极绝缘层上形成栅极;
对所述有源层进行导体化,形成导体化区域;
形成钝化层覆盖所述栅极与所述有源层;
在所述钝化层开设第一通孔以及第二通孔,所述第二通孔暴露至少部分的所述源极形成区;
于所述第一通孔内形成漏极且于所述第二通孔内形成源极,所述源极与所述有源层的所述导体化区域连接,所述漏极与所述有源层的所述非导体化区域之间还包括金属层;
所述图案化所述栅极绝缘层以露出所述源极形成区的步骤同时还包括图案化所述栅极绝缘层以露出漏极形成区,所述在所述栅极绝缘层上形成所述栅极的步骤同时还包括在所述漏极形成区形成金属层;
所述导体化区域包括位于所述金属层所对应的所述非导体化区域与所述栅极绝缘层所对应的非导体化区域之间的区域;
所述金属层完全设置于所对应的所述非导体化区域内,形成肖特基接触。
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