[发明专利]一种太阳电池、绒面结构及其制备方法

说明书

一种太阳电池、绒面结构及其制备方法，属于太阳电池领域。绒面结构是形成于硅片的表面的，并且该表面具有栅线遮盖区域和受光暴露区域。基于此，绒面结构包括：形成于所述栅线遮盖区域的第一绒面、形成于所述受光暴露区域的第二绒面；其中所述第一绒面的绒面尺寸大于所述第二绒面的绒面尺寸。该绒面结构可以提高电池的电学性能。

技术领域

本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种太阳电池、绒面结构及其制备方法。

背景技术

作为能量转换器件，太阳电池的转换效率以及转换成本是其重要的。

目前，在各类太阳电池中，基于单晶硅的异质结型太阳电池的转换效率尤为突出。在制作太阳电池的过程中，通常会涉及到对单晶硅进行制绒，但是目前的制绒还存在一些问题，因此有必要优化制绒质量以改善电池性能。

发明内容

本申请提出了一种太阳电池、绒面结构及其制备方法，其可以用于改善电池的短路电流和填充因子。

本申请是这样实现的：

在第一方面，本申请的示例提供了一种形成于硅片的表面的绒面结构，其中的硅片的表面具有栅线遮盖区域和受光暴露区域。

该绒面结构包括形成于栅线遮盖区域的第一绒面，和形成于受光暴露区域的第二绒面。并且，其中，第一绒面的绒面尺寸大于第二绒面的绒面尺寸。

根据本申请的一些示例，第一绒面的绒面尺寸为2μm至5μm；和/或，第二绒面的绒面尺寸为1μm至2μm。

根据本申请的一些示例，第一绒面和第二绒面分别独立地包括金字塔绒面、凹坑绒面或黑硅绒面。

根据本申请的一些示例，栅线遮盖区域的数量为多个，且各个栅线遮盖区域对应的第一绒面为同类绒面；和/或，受光暴露区域的数量为多个，且各个受光暴露区域对应的第二绒面为同类绒面。

在第二方面，本申请示例提出了一种具有上述绒面结构的太阳电池。

根据本申请的一些示例，绒面结构的数量为一个且位于硅片的正面或背面；或者，绒面结构的数量为两个且分别位于硅片的正面和背面；或者，绒面结构的数量为两个，且分别位于太阳电池的正面和背面，且位于硅片的正面的绒面结构中的第一绒面的绒面类型与位于硅片的背面的绒面结构中的第一绒面的绒面类型相同，位于硅片的正面的绒面结构中的第二绒面的绒面类型与位于硅片的背面的绒面结构中的第二绒面的绒面类型相同。

根据本申请的一些示例，电池为基于异质结的太阳电池；或者，电池为基于异质结的双面太阳电池；或者，电池为基于异质结的双面太阳电池，且太阳电池包括N型单晶硅以及从其正面依次堆叠的本征非晶硅、N+掺杂非晶硅、正面透明导电氧化物以及正面电极，从其背面依次堆叠的本征非晶硅、P+掺杂非晶硅、背面透明导电氧化物以及背面电极。

在第三方面，本申请示例提出了一种在硅片制作绒面的方法。

该方法包括：

提供硅片，定义有栅线遮盖区域和受光暴露区域；

分别在栅线遮盖区域制作具有大的绒面尺寸的绒面、在受光暴露区域制作具有小的绒面尺寸的绒面。

根据本申请的一些示例，分别在所述栅线遮盖区域制作具有大的绒面尺寸的绒面、在所述受光暴露区域制作具有小的绒面尺寸的绒面的包括：

使用掩膜，在硅片选定的待制绒面制作图形化结构，图形化结构包括镂空区和遮盖区，镂空区对应于硅片的栅线遮盖区域，遮盖区对应于硅片的受光暴露区域；

对镂空区对应的硅片的表面制作第三绒面，以形成具有大的绒面尺寸的绒面；

去除遮盖区，以形成硅片的裸漏表面，并对裸漏表面制绒，从而在裸漏表面制作第四绒面，以形成具有小的绒面尺寸的绒面。