[发明专利]一种太阳电池、绒面结构及其制备方法

权利要求书

1.一种绒面结构，形成于硅片的表面，所述表面具有栅线遮盖区域和受光暴露区域，其特征在于，绒面结构包括：

第一绒面，形成于所述栅线遮盖区域；

第二绒面，形成于所述受光暴露区域；

其中，所述第一绒面的绒面尺寸大于所述第二绒面的绒面尺寸。

2.根据权利要求1所述的绒面结构，其特征在于，所述第一绒面的绒面尺寸为2μm至5μm；

和/或，所述第二绒面的绒面尺寸为1μm至2μm；

和/或，所述第一绒面和所述第二绒面分别独立地包括金字塔绒面、凹坑绒面或黑硅绒面。

3.根据权利要求1或2所述的绒面结构，其特征在于，所述栅线遮盖区域的数量为多个，且各个栅线遮盖区域对应的所述第一绒面为同类绒面；

和/或，所述受光暴露区域的数量为多个，且各个受光暴露区域对应的所述第二绒面为同类绒面。

4.一种太阳电池，其特征在于，具有根据权利要求1至3中任意一项所述的绒面结构。

5.根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述绒面结构的数量为一个，且位于所述硅片的正面或背面；

或者，所述绒面结构的数量为两个，且分别位于所述硅片的正面和背面；

或者，所述绒面结构的数量为两个，且分别位于所述太阳电池的正面和背面，其中，位于所述硅片的正面的绒面结构中的第一绒面的绒面类型与位于所述硅片的背面的绒面结构中的第一绒面的绒面类型相同，位于所述硅片的正面的绒面结构中的第二绒面的绒面类型与位于所述硅片的背面的绒面结构中的第二绒面的绒面类型相同。

6.根据权利要求4或5所述的太阳电池，其特征在于，所述电池为基于异质结的太阳电池；

或者，所述电池为基于异质结的双面太阳电池；

或者，所述电池为基于异质结的双面太阳电池，且所述太阳电池包括N型单晶硅以及从其正面依次堆叠的本征非晶硅、N+掺杂非晶硅、正面透明导电氧化物以及正面电极，从其背面依次堆叠的本征非晶硅、P+掺杂非晶硅、背面透明导电氧化物以及背面电极。

7.一种在硅片制作绒面的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供硅片，定义有栅线遮盖区域和受光暴露区域；

分别在所述栅线遮盖区域制作具有大的绒面尺寸的绒面、在所述受光暴露区域制作具有小的绒面尺寸的绒面。

8.根据权利要求7所述的在硅片制作绒面的方法，其特征在于，所述分别在所述栅线遮盖区域制作具有大的绒面尺寸的绒面、在所述受光暴露区域制作具有小的绒面尺寸的绒面的方法包括：

使用掩膜，在硅片选定的待制绒面制作图形化结构，所述图形化结构包括镂空区和遮盖区，所述镂空区对应于所述硅片的栅线遮盖区域，所述遮盖区对应于所述硅片的受光暴露区域；

对所述镂空区对应的硅片的表面制作第三绒面，以形成所述具有大的绒面尺寸的绒面；

去除所述遮盖区，以形成硅片的裸漏表面，并对所述裸漏表面制绒，从而在所述裸漏表面制作第四绒面，以形成所述具有小的绒面尺寸的绒面。

9.根据权利要求7所述的在硅片制作绒面的方法，其特征在于，所述分别在所述栅线遮盖区域制作具有大的绒面尺寸的绒面、在所述受光暴露区域制作具有小的绒面尺寸的绒面的方法包括：

使用掩膜，在硅片选定的待制绒面制作图形化结构，所述图形化结构包括镂空区和遮盖区，所述镂空区对应于所述硅片的栅线遮盖区域，所述遮盖区对应于所述硅片的受光暴露区域；

对所述镂空区对应的硅片的表面制作第三绒面；

去除所述遮盖区，以形成硅片的裸漏表面，并对所述裸漏表面制绒和所述第三绒面扩绒，从而形成在所述裸漏表面的第四绒面、由所述第三绒面扩绒形成的第五绒面；

所述第四绒面构成所述具有小的绒面尺寸的绒面，所述第五绒面构成所述具有大的绒面尺寸的绒面。

10.根据权利要求9所述的在硅片制作绒面的方法，其特征在于，所述方法包括如下一项或多项限定：

第一限定，所述第三绒面的绒面尺寸小于或等于所述第四绒面的绒面尺寸；

第二限定，所述图形化结构为透明导电氧化物；

第三限定，制绒的方法为化学腐蚀制绒。