[发明专利]3D NAND存储器件及3D NAND存储器件的制造方法

说明书

本发明提供一种3D NAND存储器件及3D NAND存储器件的制造方法，所述3D NAND存储器件包括衬底、堆叠结构及台阶结构，堆叠结构设置在衬底上且其内设置有多个存储区块，台阶结构设置在堆叠结构中且其包括多个主台阶，多个主台阶的延伸方向与存储区块的延伸方向相互垂直；通过台阶结构中主台阶的延伸方向与存储区块的延伸方向相互垂直的结构设计，能减少主台阶在存储区块的延伸方向上所占用面积和体积，最终减小了台阶结构对存储区块的应力和膨胀挤压影响，提高了器件的结构稳定性；台阶结构的整体占用面积减小，有利于增大存储阵列结构的占用面积，实现更高密度的设计；采用分步削减刻蚀形成台阶结构，刻蚀次数少、掩膜少，降低了生产成本，并提高了生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种3D NAND存储器件及3D NAND存储器件的制造方法。

背景技术

随着3D NAND存储器件高密度设计需求的日益增长，其对应的堆叠层数日益增加，目前多采用双层堆栈技术(dual stack)进行堆叠设计，能够很好地完成128层堆叠层的设计。

但是，在现有设计中，台阶结构中主台阶的延伸方向与存储阵列结构中存储区块的延伸方向相同，随着堆叠层数的增加，台阶结构中主台阶层数和占用面积相应增加，台阶结构对存储阵列结构的应力和膨胀挤压越来越不可忽视，最终影响3D NAND存储器件的稳定性。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种新的3D NAND存储器件，用于解决上述技术问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种3D NAND存储器件，包括：

衬底；

堆叠结构，设置在所述衬底上，其内设置有多个存储区块；

台阶结构，设置在所述堆叠结构中，其包括多个主台阶和副台阶，多个所述主台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向相互垂直，每个所述主台阶上设置有多个所述副台阶，多个所述副台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向相同。

可选地，所述台阶结构将所述堆叠结构分为第一核心区和第二核心区，沿着所述存储区块的延伸方向，所述台阶结构位于所述第一核心区和所述第二核心区之间，所述台阶结构包括多个相互独立的台阶结构单元，通过所述台阶结构对所述第一核心区及第二核心区中的所述存储区块同时进行驱动。

可选地，在所述堆叠结构的堆叠平面内，沿着所述存储区块的延伸方向的垂直方向，多个所述台阶结构单元呈直线排列，每个所述台阶结构单元包括多个所述主台阶和多个所述副台阶。

可选地，每个所述台阶结构单元包括至少一个主台阶结构，每个所述主台阶结构包括多个依次延伸的所述主台阶，相邻两个所述主台阶结构中所述主台阶的顶面相互错开。

可选地，沿着所述堆叠结构的堆叠方向看去，至少部分依次延伸的所述副台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向的正方向相同，或者所有依次延伸的所述副台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向的负方向相同。

可选地，沿着所述存储区块的延伸方向，两个所述台阶结构分别设置在所述堆叠结构的两端，通过所述台阶结构对所述存储区块进行驱动。

此外，为实现上述目的及其他相关目的，本发明还提供一种3D NAND存储器件的制造方法，包括步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括存储阵列区域和台阶区域；

在所述存储阵列区域中形成存储阵列结构，所述存储阵列结构包括多个存储区块；

通过分步削减刻蚀在所述台阶区域中形成台阶结构，所述台阶结构包括多个主台阶和副台阶，多个所述主台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向相互垂直，每个所述主台阶上设置有多个所述副台阶，多个所述副台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向相同；