[发明专利]3D NAND存储器件及3D NAND存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

堆叠结构，设置在所述衬底上，其内设置有多个存储区块；

台阶结构，设置在所述堆叠结构中，其包括多个主台阶和副台阶，每个所述主台阶上设置有多个所述副台阶；

其中，所述台阶结构包括多个相互独立的台阶结构单元，所述台阶结构单元包括至少两个主台阶结构，相邻两个所述主台阶结构的顶面相互错开。

2.根据权利要求1所述的3D NAND存储器件，其特征在于，所述台阶结构将所述堆叠结构分为第一核心区和第二核心区，沿着所述存储区块的延伸方向，所述台阶结构位于所述第一核心区和所述第二核心区之间，通过所述台阶结构对所述第一核心区及第二核心区中的所述存储区块同时进行驱动。

3.根据权利要求2所述的3D NAND存储器件，其特征在于，在所述堆叠结构的堆叠平面内，沿着所述存储区块的延伸方向的垂直方向，多个所述台阶结构单元呈直线排列，每个所述台阶结构单元包括多个所述主台阶和多个所述副台阶，所述主台阶结构包括多个依次延伸的所述主台阶，多个所述主台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向相互垂直，多个所述副台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向相同。

4.根据权利要求3所述的3D NAND存储器件，其特征在于，沿着所述堆叠结构的堆叠方向看去，至少部分依次延伸的所述副台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向的正方向相同，或者所有依次延伸的所述副台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向的负方向相同。

5.根据权利要求1所述的3D NAND存储器件，其特征在于，沿着所述存储区块的延伸方向，两个所述台阶结构分别设置在所述堆叠结构的两端，通过所述台阶结构对所述存储区块进行驱动。

6.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括存储阵列区域和台阶区域；

在所述存储阵列区域中形成存储阵列结构，所述存储阵列结构包括多个存储区块；

通过分步削减刻蚀在所述台阶区域中形成台阶结构，所述台阶结构包括多个主台阶和副台阶，每个所述主台阶上设置有多个所述副台阶；

将所述台阶结构中的台阶与外界控制线电性连接；

其中，所述台阶结构包括多个相互独立的台阶结构单元，所述台阶结构单元包括至少两个主台阶结构，相邻两个所述主台阶结构的顶面相互错开。

7.根据权利要求6所述的3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，所述堆叠结构包括多层复合层。

8.根据权利要求7所述的3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，沿着所述存储区块的延伸方向，所述存储阵列区域包括第一核心区和第二核心区，所述台阶区域位于所述第一核心区和所述第二核心区之间。

9.根据权利要求8所述的3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，在所述台阶区域中形成所述台阶结构的步骤包括：

在所述堆叠结构的堆叠平面内，沿着所述存储区块的延伸方向的垂直方向，将所述台阶区域分为多个相互间隔设置的单元台阶区；

在每个所述单元台阶区中，沿着所述存储区块的延伸方向，进行分步削减刻蚀，得到M个所述副台阶，M个所述副台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向相同；

在每个所述单元台阶区中，沿着所述存储区块的延伸方向的垂直方向，进行分步削减刻蚀，得到N个所述主台阶，N个所述主台阶的延伸方向与所述存储区块的延伸方向相互垂直；

其中，M、N为大于等于2的整数。