[发明专利]存储装置和制造存储装置的方法

说明书

一种存储装置包括：存储芯片，所述存储芯片包括连接到第一字线和第一位线的存储单元阵列、分别连接到所述第一字线的第一字线接合焊盘以及分别连接到所述第一位线的第一位线接合焊盘；以及外围电路芯片，其中，所述外围电路芯片包括连接到第二字线和第二位线的测试单元阵列、分别连接到所述第一字线接合焊盘的第二字线接合焊盘、分别连接到所述第一位线接合焊盘的第二位线接合焊盘以及外围电路，所述外围电路连接到所述第二字线接合焊盘和所述第二字线，或所述第二位线接合焊盘和所述第二位线。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2020年11月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0155424的优先权，通过引用将其公开内容全部并入本文。

技术领域

本发明构思涉及存储装置，更具体地，涉及包括存储芯片和外围电路芯片的存储装置以及制造该存储装置的方法。

背景技术

近来，随着信息技术装置变得多功能化，需要高容量和高集成的存储装置。为此，已经开发了包括三维(3D)存储单元阵列的存储装置，3D存储单元阵列包括分别连接到在垂直于基板的方向上堆叠的字线的多个存储单元。此外，已经开发了其中3D存储单元阵列和外围电路在垂直方向上布置的各种存储装置，因此，包括3D存储单元阵列的存储装置可以具有减小的尺寸。

发明内容

根据本发明构思的一些示例实施例，存储装置可以包括存储芯片，所述存储芯片包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列连接到第一字线和第一位线；第一字线接合焊盘，所述第一字线接合焊盘分别连接到所述第一字线；以及第一位线接合焊盘，所述第一位线接合焊盘分别连接到所述第一位线。所述存储装置可包括外围电路芯片，其中，所述外围电路芯片包括：测试单元阵列，所述测试单元阵列连接到第二字线和第二位线；第二字线接合焊盘，所述第二字线接合焊盘分别连接到所述第一字线接合焊盘；第二位线接合焊盘，所述第二位线接合焊盘分别连接到所述第一位线接合焊盘；以及外围电路，所述外围电路连接到所述第二字线接合焊盘和所述第二字线，或所述第二位线接合焊盘和所述第二位线。

根据本发明构思的一些示例实施例，存储装置可以包括：存储芯片，所述存储芯片包括存储单元阵列和第一接合焊盘，其中，所述存储单元阵列包括均包括多个垂直NAND串的多个存储块；以及外围电路芯片，所述外围电路芯片包括测试单元阵列，所述测试单元阵列包括具有多个平面NAND串的至少一个测试块、连接到所述测试单元阵列的外围电路、以及第二接合焊盘，并且所述外围电路芯片经由所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘垂直地连接到所述存储芯片。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种制造存储装置的方法可以包括：制造包括3D单元阵列的存储芯片；制造外围电路芯片，所述外围电路芯片包括二维(2D)单元阵列和连接到所述2D单元阵列的外围电路；对所述外围电路芯片进行电裸片分选(EDS)工艺，以检查所述2D单元阵列和所述外围电路是否进行电操作；以及响应于确定出所述2D单元阵列和所述外围电路进行电操作，基于将所述外围电路芯片接合到所述存储芯片来制造所述存储装置。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种制造存储装置的方法可以包括：制造外围电路芯片，所述外围电路芯片包括二维(2D)单元阵列和外围电路，所述2D单元阵列包括存储信息数据的至少一个信息数据块，所述外围电路连接到所述2D二维单元阵列；基于对所述外围电路芯片执行信息数据读取(IDR)操作来读取所述信息数据；以及响应于确定出所述信息数据是有效信息数据，基于将包括三维(3D)单元阵列的存储芯片接合到所述外围电路芯片来制造所述存储装置。

附图说明

根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的示例实施例，其中：

图1是根据一些示例实施例的存储系统的框图；

图2是根据一些示例实施例的存储装置的框图；

图3示出了根据一些示例实施例的存储单元阵列；