[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110897314.6 | 申请日: | 2021-08-05 |
公开(公告)号: | CN113690249A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 杨程;江盼 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括定义有第一显示区及第二显示区,且包括:基板、驱动器件层及发光器件层。在所述第二显示区中,所述驱动器件层还设置有位于至少一发光子像素在所述基板上的正投影范围内的伪通孔,所述伪通孔与所述至少一发光子像素彼此绝缘设置。所述显示面板可以保证所述第二显示区中的薄膜晶体管具有均一的电性,进而改善显示不均的现象。
技术领域
本申请涉及显示领域,特别涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
近年来,智能手机进入“全面屏”时代,追求极致的高屏占比成为新的发展趋势。因此,屏下摄像(Camera Under Panel,CUP)技术应运而生。CUP技术是将摄像头置于屏幕下方,该区域称为屏下摄像区(CUP区),此技术在实现全屏显示的同时还能做到屏下摄像功能,是全面屏的终极解决方案。
应用屏下摄像技术的屏幕可将显示区域分为屏下摄像区及正常显示区,此两区有不同的结构设计和像素设计。然而在目前的技术中,由于屏下摄像区和正常显示区有着不同的结构设计,导致这两区的电路走线和工艺不同,进而导致位于屏下摄像区的驱动器件的电性和正常显示区不同,使得屏下摄像区出现显示不均的现象。
因此,急需改善屏下摄像区的驱动器件的电性,以提升屏下摄像区和正常显示区的电性均一性,进而改善显示不均的现象。
发明内容
本申请的目的在于,提供一种显示面板及其制备方法,用于解决现有技术中,位于屏下摄像区的驱动器件的电性和正常显示区不同,使得屏下摄像区出现显示不均的技术问题。
为了解决上述问题,本申请提供一种显示面板,所述显示面板定义有第一显示区及第二显示区,且所述显示面板包括:基板;驱动器件层,所述驱动器件层设置在所述基板上且包括多个薄膜晶体管;及发光器件层,所述发光器件层设置在所述驱动器件层上且包括多个阵列排布的发光子像素;
其中,在所述第二显示区中,所述驱动器件层还设置有位于至少一所述发光子像素在所述基板上的正投影范围内的伪通孔,所述伪通孔与所述至少一发光子像素彼此绝缘设置。
在一些实施例中,在所述第二显示区中,所述薄膜晶体管设置在所述第二显示区靠近所述第一显示区的边缘。
在一些实施例中,所述薄膜晶体管与所述伪通孔同层设置。
在一些实施例中,所述薄膜晶体管包括:有源层,所述有源层设置在所述基板上;第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖在所述有源层上;第一金属层,所述第一金属层设置在所述第一绝缘层上;第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述第一金属层上;及第二金属层,所述第二金属层设置在所述第二绝缘层上并图案化形成源极及漏极,所述源极及漏极分别通过贯穿所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的第一通孔及第二通孔与所述有源层电性连接;
其中,所述伪通孔与所述第一通孔及所述第二通孔同层设置。
在一些实施例中,位于所述至少一发光子像素在所述基板上的正投影范围内的伪通孔的数量大于等于1。
在一些实施例中,所述伪通孔的形状包括矩形或圆形中的至少一种。
在一些实施例中,所述发光子像素具有不同尺寸大小,所述伪通孔的数量与所述发光子像素的尺寸大小成正比。
在一些实施例中,在所述第一显示区中,所述驱动器件层设置有对应所述发光子像素的通孔,所述通孔与所述发光子像素电性连接;
其中,所述伪通孔在所述第二显示区中的密度与所述通孔在所述第一显示区中的密度相等。
在一些实施例中,所述显示面板还包括有机平坦层,所述有机平坦层设置于所述驱动器件层及所述发光器件层之间,且所述有机平坦层填充贯穿所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的所述伪通孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的