[发明专利]化学气相沉积高品质金刚石的制备装置及制备方法有效
申请号: | 202110876413.6 | 申请日: | 2021-07-31 |
公开(公告)号: | CN113667961B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 于盛旺;郑可;高洁;马永;贾文茹 | 申请(专利权)人: | 山西国脉金晶碳基半导体材料产业研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/448;B01D53/00;B01D7/00;B01D53/26 |
代理公司: | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人: | 张宏 |
地址: | 048026 山西省晋城市晋城经济技*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 沉积 品质 金刚石 制备 装置 方法 | ||
1.一种化学气相沉积高品质金刚石的制备装置,其特征在于:包括H2容器,氢气提纯装置,CO2容器,低温除水装置或干燥装置,低温除H2S装置,低温干冰制备装置,除杂真空泵,CH4反应装置,二次除水装置,CVD金刚石合成装置;
H2容器与氢气提纯装置连接,氢气提纯装置又与CH4反应装置连接;
CO2容器与低温除水装置或干燥装置连接,低温除水装置或干燥装置又与低温除H2S装置连接,低温除H2S装置又与低温干冰制备装置连接,低温干冰制备装置又与除杂真空泵连接,除杂真空泵又与CH4反应装置连接;其中,设置低温除水装置或干燥装置的温度为0℃~-10℃,设置低温除H2S装置的温度为-61℃~ -78℃,设置低温干冰制备装置的温度为 -78.5℃以下;
CH4反应装置与二次除水装置连接,二次除水装置又与CVD金刚石合成装置连接。
2.一种基于权利要求1所述装置的化学气相沉积高品质金刚石的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)CO2提纯:将CO2气体在低温条件下使所含的水蒸气凝结成冰、使H2S冷凝成液体、使CO2凝结为干冰,将N2、CO杂质气体去除后,将干冰升温气化获得高纯CO2;
2)CH4制备第一阶段:将步骤1)获得的高纯CO2与过量的高纯H2通入CH4反应装置中,使CO2分解为C-O基团、H2分解成H原子;通过一部分H原子与C-O基团中的O发生反应生成H2O蒸气,另一部分H原子与C-O基团中的C发生反应生成CH4气体,并最终获得H2、H2O、CH4混合气体;
3)CH4制备第二阶段:将步骤2)获得的混合气体在低温条件下,使H2O气凝结为冰并分离,最终获得包含H2和CH4混合气体;
4)金刚石沉积:将步骤3)获得的混合气体输送到化学气相沉积金刚石装置中制备金刚石即可。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的