[发明专利]一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片

说明书

本发明公开了一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片，其中，硅片的夹具损伤的预测方法包括：获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。本发明提供的技术方案，可降低夹具对硅片表面损伤的可能性，提高硅片质量。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造领域，尤其涉及一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片。

背景技术

随着电子和光电行业下游技术的不断进步，对于硅片的加工精度要求越来越高，需要保证硅片在加工后具有高面型精度和表面质量，为光刻工序准备平坦化、超光滑、低损伤的衬底表面。

硅片在生产加工过程中，加工设备及测试设备自带的硅片夹持装置有接触到硅片正表面从而对硅片产生损伤的可能性，降低硅片的质量的成品率。

发明内容

本发明实施例提供了一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片，以降低夹具对硅片表面损伤的可能性，提高硅片质量。

第一方面，本发明实施例提供了一种硅片的夹具损伤的预测方法，包括：

获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；

若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。

第二方面，本发明实施例还提供了一种硅片的夹具损伤的预测装置，包括：

速率获取模块，用于获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；

损伤预测模块，用于在所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间时，判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。

第三方面，本发明实施例提供了一种硅片，包括中心区域和围绕所述中心区域的边缘区域；

所述硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢位于安全速率区间；所述径向方向由所述中心区域指向所述边缘区域。

本发明中，通过获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢，来判断硅片表面在生产加工过程中，被加工设备或测试设备自带的夹具损伤的可能性，其中，所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域。夹具与硅片之间损伤大多因边缘区域中设定区域的厚度变化速率的快慢决定，本实施例可根据硅片的边缘区域中设定区域的边缘形貌的特征判断夹具接触到硅片正表面从而对硅片产生损伤的可能性，并为硅片的边缘轮廓特征提供安全速率区间，便于对硅片的设定区域的形貌进行设置，以降低后续加工及测试设备因其自带的硅片夹持装置对硅片正表面产生损伤的可能性。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种硅片边缘夹持示意图；

图2是本发明实施例提供的一种硅片的夹具损伤的预测方法的流程示意图；

图3是本发明实施例提供的一种硅片的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的另一种硅片的夹具损伤的预测方法的流程示意图；

图5是本发明实施例提供的Z-高度与半径之间的关系曲线图；

图6是本发明实施例提供的一种硅片的夹具损伤的预测装置结构示意图。

具体实施方式