[发明专利]一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片

权利要求书

1.一种硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，包括：

获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；

若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。

2.根据权利要求1所述的硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢，包括：

获取所述硅片的边缘区域的设定区域中的至少一个设定位置点沿所述径向方向的厚度变化速率的快慢。

3.根据权利要求2所述的硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢，包括：

获取硅片的边缘区域的设定区域的至少一个设定位置点的Z-高度双重微分的取值；R为所述硅片的半径取值；Z(R)为所述硅片的半径为R的轮廓线上的位置点与参考平面在垂直于所述硅片所在平面的方向上的距离；

通过所述设定位置点的Z-高度双重微分表征所述设定区域沿所述径向方向的厚度变化速率的快慢。

4.根据权利要求3所述的硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，在获取所述硅片的设定区域的至少一个设定位置点的Z-高度双重微分的取值之前，还包括：

通过机台测试装置获取所述硅片的设定区域的不同位置点的硅片半径和Z-高度，并形成Z-高度与硅片半径之间的函数曲线；

根据所述函数曲线获取Z-高度双重微分

5.根据权利要求1所述的硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，所述设定区域为在平行于所述硅片的平面内，所述硅片上距离所述硅片的边缘轮廓2mm以内的区域。

6.根据权利要求3所述的硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，所述设定位置点的Z-高度双重微分的安全速率区间为1000～2000。

7.根据权利要求1所述的硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，所述硅片的尺寸为12英寸；

所述设定区域为在平行于所述硅片的平面内，半径为148mm的轮廓线，与半径为148.5mm的轮廓线之间的区域内。

8.一种硅片的夹具损伤的预测装置，其特征在于，包括：

速率获取模块，用于获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；

损伤预测模块，用于在所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间时，判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。

9.一种硅片，其特征在于，包括中心区域和围绕所述中心区域的边缘区域；

所述硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢位于安全速率区间；所述径向方向由所述中心区域指向所述边缘区域。

10.根据权利要求9所述的硅片，其特征在于，通过倒角工艺和边抛工艺对所述硅片的设定区域在沿径向方向的厚度的变化速率进行设置。