[发明专利]晶圆传送盒

说明书

本发明提供了一种晶圆传送盒，包括：一侧设置有开口的盒体、对称设置在所述开口两侧的侧壁的卡槽及设置在与所述开口相对的后壁上的气敏传感单元，以监控晶圆传送盒内设定气体的浓度变化情况。本发明利用气敏传感单元监控晶圆传送盒内设定气体的浓度变化情况。此外，可以通过所述设定气体的浓度变化情况分析晶圆进行离子注入工艺后析出离子的浓度，从而实现对晶圆离子注入工艺的注入浓度的侧面监控。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种晶圆传送盒。

背景技术

目前，晶圆智能化生产过程中主要借助前开式晶圆传送盒FOUP(Front OpeningUnified Pod)来保护、运送、并储存晶圆，以保护晶圆传送盒内的晶圆，避免所述晶圆在传送过程中受到外部环境的微尘污染，提高产品良率。

在大型集成电路晶圆的生产过程中，为了实现或改善器件性能，需要进行离子注入工艺(ION Implantation，IMP)在晶圆上不同深度的不同区域以不同能量打入不同种类的离子。然而，目前的IMP工艺存在掺杂离子析出的问题，由于IMP工艺结束后晶圆会存放在密闭的晶圆传送盒内，因此析出的掺杂离子会聚集在晶圆传送盒内并与晶圆的表面材料发生反应，形成缺陷，例如，当IMP工艺后的等待时间(Q time)过长时，晶圆可能析出氟离子，所述氟离子(F^-)与晶圆的表面材料发生反应后生成白色或无色叶状结晶的氟化铵(NH₄F)缺陷，或生成具有强氧化性的挥发性气体氨气(NH₃)，具体的化学反应式如下：

F^-+NH4⁺→NH₄F+heat→(NH₄)HF₂+NH₃

目前常规的缺陷监控方法主要通过光学扫描来监控副产物，然而，这类方法无法监控不可见的气体类副产物，对于氟化铵及其他可以继续反应生成不可见气体的副产物，现有的缺陷监控方法也存在监控时效性的问题，无法有效地监控离子注入工艺的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆传送盒，通过气敏传感单元监控晶圆传送盒内设定气体的浓度变化情况。

为了达到上述目的，本发明提供了一种晶圆传送盒，所述晶圆传送盒包括：一侧设置有开口的盒体、对称设置在所述开口两侧的侧壁的卡槽及设置在与所述开口相对的后壁上的气敏传感单元，以监控晶圆传送盒内设定气体的浓度变化情况。

可选的，所述气敏传感单元包括若干个在竖直方向均匀排布的半导体气敏传感器，所述半导体气敏传感器在竖直方向的排布方向垂直于所述卡槽在所述侧壁上的延伸方向。

可选的，一个所述半导体气敏传感器对应多个所述卡槽，以监测多个所述卡槽所在区域内所述设定气体的浓度变化情况。

可选的，所述半导体气敏传感器在竖直方向排布的长度大于或等于所述卡槽所在区域的高度。

可选的，所述半导体气敏传感器包括薄膜型气体传感器，所述薄膜型气体传感器包括N型半导体薄膜传感器或P型半导体薄膜传感器。

可选的，所述盒体的外壁上设置有指示灯，所述指示灯连接所述气敏传感单元。

可选的，所述指示灯的数量与所述气敏传感单元中半导体气敏传感器的数量相同，所述指示灯与所述半导体气敏传感器对应连接。

可选的，所述盒体的外壁上设置有报警系统，所述报警系统连接所述气敏传感单元。

可选的，所述晶圆传送盒用于传送进行离子注入工艺后的晶圆。

可选的，所述设定气体为晶圆析出的离子与所述晶圆的表面材料发生反应后生成的。

可选的，所述设定气体包括氨气。