[发明专利]晶圆传送盒在审
| 申请号： | 202110863599.1 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113611641A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈肖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传送 | ||
1.一种晶圆传送盒，其特征在于，包括：一侧设置有开口的盒体、对称设置在所述开口两侧的侧壁的卡槽及设置在与所述开口相对的后壁上的气敏传感单元，以监控晶圆传送盒内设定气体的浓度变化情况。
2.如权利要求1所述的晶圆传送盒，其特征在于，所述气敏传感单元包括若干个在竖直方向均匀排布的半导体气敏传感器，所述半导体气敏传感器在竖直方向的排布方向垂直于所述卡槽在所述侧壁上的延伸方向。
3.如权利要求2所述的晶圆传送盒，其特征在于，一个所述半导体气敏传感器对应多个所述卡槽，以监测多个所述卡槽所在区域内所述设定气体的浓度变化情况。
4.如权利要求3所述的晶圆传送盒，其特征在于，所述半导体气敏传感器在竖直方向排布的长度大于或等于所述卡槽所在区域的高度。
5.如权利要求3所述的晶圆传送盒，其特征在于，所述半导体气敏传感器包括薄膜型气体传感器，所述薄膜型气体传感器包括N型半导体薄膜传感器或P型半导体薄膜传感器。
6.如权利要求2所述的晶圆传送盒，其特征在于，所述盒体的外壁上设置有指示灯，所述指示灯连接所述气敏传感单元。
7.如权利要求6所述的晶圆传送盒，其特征在于，所述指示灯的数量与所述半导体气敏传感器的数量相同，所述指示灯与所述半导体气敏传感器对应连接。
8.如权利要求1所述的晶圆传送盒，其特征在于，所述盒体的外壁上设置有报警系统，所述报警系统连接所述气敏传感单元。
9.如权利要求1所述的晶圆传送盒，其特征在于，所述晶圆传送盒用于传送进行离子注入工艺后的晶圆。
10.如权利要求9所述的晶圆传送盒，其特征在于，所述设定气体为晶圆析出的离子与所述晶圆的表面材料发生反应后生成的。
11.如权利要求1或9所述的晶圆传送盒，其特征在于，所述设定气体包括氨气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110863599.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
