[发明专利]具有经优化电阻层的存储器

说明书

本申请涉及一种具有经优化电阻层的存储器。存储器系统可包含可使用存取线中的单独电阻层沉积在存储器单元和导电通孔上方的单独量或类型的电阻材料。可在执行用于沉积所述导电通孔的阵列终止蚀刻之前在所述存储器单元上方沉积第一电阻材料层。所述阵列终止蚀刻可去除在用于沉积所述导电通孔的阵列的部分上方的所述第一电阻材料。可在所述蚀刻已发生且所述导电通孔已被形成之后沉积第二电阻材料层。可在所述导电通孔上方沉积所述第二电阻材料层。

交叉参考

本专利申请要求由魏(Wei)等人于2020年7月29日提交的标题为“具有经优化电阻层的存储器(MEMORY WITH OPTIMIZED RESISTIVE LAYERS)”的第16/941,885号美国专利申请的优先权，所述美国专利申请转让给本受让人，并且明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

技术领域涉及一种具有经优化电阻层的存储器。

背景技术

下文大体上涉及用于存储器的一或多个系统，并且更确切地说，涉及一种具有经优化电阻层的存储器。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两个支持状态中的一个，常常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，所述多于两个状态中的任一个可被存储。为了存取所存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可为易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在不存在外部电源的情况下仍可维持其所存储逻辑状态达很长一段时间。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储状态。

发明内容

描述了一种方法。方法可包含在多个存储器堆叠上沉积第一电阻材料。存储器堆叠中的每一个可包含电极材料和存储器材料的分层组合件。方法可进一步包含：在多个存储器堆叠上在第一电阻材料上方沉积第一导电材料；去除多个存储器堆叠的区域以在第一电阻材料、第一导电材料和多个存储器堆叠中的一或多个存储器堆叠中形成间隙；沉积导电材料以在间隙中形成导电通孔；在第一导电材料和导电通孔上方沉积第二电阻材料；以及在多个存储器堆叠上在第二电阻材料上方以及在通孔上在第二电阻材料上方沉积第二导电材料。

描述了一种存储器装置。存储器装置可包含衬底和定位在衬底上的多个存储器堆叠。每一存储器堆叠可包含电极材料和存储器材料的分层组合件。存储器装置可进一步包含：第一电阻材料，其定位在多个存储器堆叠上；第一导电材料，其定位在多个存储器堆叠上在第一电阻材料上方；以及通孔，其定位在衬底上。通孔可包含导电材料。存储器装置可进一步包含：第二电阻材料，其定位在第一导电材料和通孔上；以及第二导电材料，其定位在第二电阻材料上。

描述了另一存储器装置。存储器装置可包含在第一方向上延伸的多个第一存取线。相应多个存储器堆叠可定位在多个第一存取线上。存储器装置可进一步包含多个通孔，其各自包含导电材料且在第二方向上与存储器堆叠的群组对准。存储器堆叠的每一群组可包含来自多个第一存取线中的每一个的在第二方向上与通孔对准的存储器堆叠。存储器装置可进一步包含在第二方向上延伸的多个第二存取线。每一第二存取线可在多个通孔中的通孔和与通孔对准的存储器堆叠的群组上方延伸。每一第二存取线可包含：第一电阻材料，其定位在相应多个存储器堆叠中的每一存储器堆叠上；第一导电材料，其定位在第一电阻材料上；第二电阻材料，其定位在通孔和第一导电材料上；以及第二导电材料，其定位在第二电阻材料上。