[发明专利]透明显示基板及透明显示装置在审
申请号: | 202110860191.9 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN113594215A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 高昊;白珊珊;温向敏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 何家鹏;孟维娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 显示 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种透明显示基板及透明显示装置。该透明显示基板包括背板以及设置在背板上的若干像素,至少一个像素包括透明区和非透明区,非透明区内设置有至少一个子像素,子像素包括电路驱动组件和发光组件,非透明区包括侧向出光的部分,以使非透明区内的发光组件发出的光传至透明区后射出。本申请实施例的透明显示基板的非透明区包括侧向出光的部分,也就是说,非透明区内的发光组件发的光可大致沿垂直于非透明区厚度方向传至透明区后射出。这样,直接通过缩小每一像素的非透明区的占比,相应地降低发光组件的面积,增大透明区的占比,即可有效提升透明显示基板的整体透明度和透过率,改善透明显示基板在明亮环境下的使用体验。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种透明显示基板及透明显示装置。
背景技术
本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息,其并不必然是现有技术。
随着信息社会的发展,新颖的显示技术如透明显示器件等由于良好的用户体验,成为近年的发展趋势之一。
目前,市场上常见的透明显示器件主要通过降低PPI、放大像素面积并进行透明区域留白来提高器件的透明度,如图1所示。然而,通过降低PPI、放大像素面积并进行透明区域留白虽提升了透明显示器件的透明度,但也使得现有的透明显示器件存在在明亮环境中器件表面反射明显、像素较低等缺点。
发明内容
本申请实施例提供一种透明显示基板及透明显示装置,用以解决现有的透明显示器件提升透明度的同时存在在明亮环境中器件表面反射明显、像素较低等问题。
本申请第一方面的实施例提出了一种透明显示基板,包括背板以及设置在所述背板上的若干像素,至少一个所述像素包括透明区和非透明区,所述非透明区内设置有至少一个子像素,所述子像素包括电路驱动组件和发光组件,所述非透明区包括侧向出光的部分,侧向出光的部分配置为使所述非透明区内的发光组件发出的光传至透明区后射出。
在本申请的一些实施例中,所述透明区和非透明区的面积之比大于6。
在本申请的一些实施例中,所述透明区内掺杂有散射粒子,或者,所述透明区的内部或外部设置异性结构。
在本申请的一些实施例中,所述异性结构为褶皱、lens、障碍物或梯形反射锥。
在本申请的一些实施例中,所述发光组件为OLED,所述OLED包括阳极、发光功能层和阴极,所述阴极覆盖非透明区,所述阴极厚度在50nm以上。
在本申请的一些实施例中,所述发光组件为OLED,所述OLED包括阳极、发光功能层和阴极,所述阴极覆盖非透明区,所述阴极厚度为5-20nm,在所述阴极的顶部设置有填充层和反射层。
在本申请的一些实施例中,在所述阳极的背离所述背板的一侧设置有像素界定层和遮挡层,所述像素界定层和遮挡层共同限定出多个像素开口,所述像素开口与所述发光组件一一对应,至少一个所述像素开口由像素界定图案和遮挡图案围成,所述至少一个像素开口的靠近所述透明区的像素界定图案呈透明。
在本申请的一些实施例中,所述遮挡层采用黑色像素界定层或金属遮挡层。
在本申请的一些实施例中,所述阴极采用图案化制备,所述发光功能层采用图案化制备。
在本申请的一些实施例中,至少一个所述像素中,其中一个所述子像素的所述阳极的靠近所述透明区一侧向所述透明区内延伸0.5-2μm。
在本申请的一些实施例中,至少一个所述像素中,所述电路驱动组件包括有源层、栅极、源极和漏极,在所述有源层依次层叠覆盖有栅极绝缘层和层间绝缘层,在所述层间绝缘层和阳极之间设置平坦层,所述平坦层的上表面形成有倾斜面,所述倾斜面的靠近所述透明区的一侧为倾斜低点,所述倾斜面的远离所述透明区的一侧为倾斜高点。
在本申请的一些实施例中,所述倾斜面的倾斜角度为5-15°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的