[发明专利]一种基于钙钛矿微米板的高效绿光LED及其制备方法

权利要求书

1.一种基于钙钛矿微米板的高效绿光LED，其特征在于，其包括：

并列设置的p型层与n型层；

以及钙钛矿层，其敷设于所述p型层表面，且所述钙钛矿层位于所述p型层与所述n型层之间，

同时，所述钙钛矿层与所述n型层之间还夹设有电子空穴阻挡层，所述电子空穴阻挡层阻止电子和空穴在所述p型层中复合，且阻止电子和空穴在所述n型层中复合。

2.如权利要求1所述的基于钙钛矿微米板的高效绿光LED，其特征在于：

所述电子空穴阻挡层的材料为Al₂O₃、ZrO₂、MgO、HfO₂、Ga₂O₃、SiO₂、TiO₂、NiO或者绝缘的有机材料。

3.如权利要求1所述的基于钙钛矿微米板的高效绿光LED，其特征在于：

所述钙钛矿层的材料为CsPbBr₃钙钛矿、不同卤素的钙钛矿或者不同金属阳离子的卤化物钙钛矿。

4.如权利要求1所述的基于钙钛矿微米板的高效绿光LED，其特征在于：

所述p型层的材料为p-GaN、p-Si、p-SiC、p-NiO或者p型掺杂半导体材料中的至少一种，或者所述p型层的材料为p型有机材料。

5.如权利要求1所述的基于钙钛矿微米板的高效绿光LED，其特征在于：

所述n型层的材料为n-ZnO、n-GaN、n-CuO、n-V₂O₅、n-CdS或者n型掺杂半导体材料中的至少一种，或者所述n型层的材料为n型有机材料。

6.一种基于钙钛矿微米板的高效绿光LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将生长钙钛矿的原料和p型层放置于管炉内，并向所述管炉内通入惰性气体，使所述管炉内的空气排除；

将所述管炉内的温度升高至预设温度并保温预设时间，同时保持惰性气体以预设流量通入所述管炉，使所述p型层的表面生长钙钛矿层；

在所述钙钛矿层表面生长电子空穴阻挡层和n型层，使所述p型层与所述n型层并列设置，且所述钙钛矿层位于所述p型层与所述n型层之间，所述电子空穴阻挡层夹设于所述钙钛矿层与所述n型层之间；其中，所述电子空穴阻挡层阻止电子和空穴在所述p型层中复合，且阻止电子和空穴在所述n型层中复合；

分别制备电极，得到所述高效绿光LED。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述将生长钙钛矿的原料和p型层放置于管炉内，并向所述管炉内通入惰性气体，使所述管炉内的空气排除，包括：

将生长钙钛矿的原料放置于所述管炉内的加热中心，并向所述管炉内通入惰性气体；

将清洗干净的所述p型层放入距离所述管炉的加热中心下出风口预设距离处，并放入炉塞，持续向所述管炉内通入惰性气体，使所述管炉内的空气排除。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：

生长钙钛矿的原料为溴化铯和溴化铅，且溴化铯和溴化铅的摩尔比大于或者等于1:1。

9.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：

所述预设温度的取值范围为500℃-650℃。

10.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述钙钛矿层表面生长电子空穴阻挡层和n型层，包括：

将所述钙钛矿层放置于原子层沉积反应腔中，使所述钙钛矿层表面生长所述电子空穴阻挡层和所述n型层。