[发明专利]天线装置和制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体管芯，包括射频RF电路；

第一介电层，被设置在所述半导体管芯的第一表面之上；

天线层，被设置在所述第一介电层的表面之上；以及

天线馈送结构，将所述天线层耦合到所述半导体管芯的所述RF电路，其中：

所述半导体管芯包括开口；以及

所述天线馈送结构包括第一部分以及第二部分，所述第一部分被布置在所述半导体管芯的所述开口内并且延伸到所述半导体管芯的所述第一表面，所述第二部分被布置为穿过所述第一介电层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述天线馈送结构还包括第三部分，所述第三部分将所述天线馈送结构的所述第一部分连接到所述天线馈送结构的所述第二部分，并且其中所述天线馈送结构的所述第三部分沿着所述半导体管芯的所述第一表面被布置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述半导体管芯的所述第一表面是所述半导体管芯的背侧。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

位于所述半导体管芯的第二表面之上的重分布结构，其中所述重分布结构被电耦合到所述RF电路，并且所述半导体管芯的所述第二表面是所述半导体管芯的前侧；以及

多个输入/输出连接器，借助所述重分布结构而被电耦合到所述半导体管芯。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述重分布结构包括重分布层和第二介电层，并且其中所述重分布层被嵌入在所述第二介电层中。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述天线馈送结构的所述第一部分与所述第二部分被彼此直接连接。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述天线层在所述半导体器件的侧壁之上延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述半导体器件是封装天线(AiP)器件。

9.一种方法，包括：

在包括射频RF电路的半导体管芯中形成过孔；

在所述半导体管芯的第一表面之上沉积第一介电层；

在所述第一介电层中形成第一过孔；以及

在所述第一介电层的第一表面上形成天线层，其中天线馈送结构被配置为将所述RF电路耦合到所述天线层，并且其中所述天线馈送结构包括第一部分以及第二部分，所述第一部分由所述半导体管芯的所述过孔形成并且延伸至所述半导体管芯的所述第一表面，所述第二部分由所述第一过孔形成。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述第一介电层中形成第一开口；

填充所述第一开口来形成所述第一过孔，并且利用导电材料在所述第一介电层的所述第一表面之上形成所述天线层，其中所述天线层借助所述天线馈送结构而被电耦合到所述半导体管芯的所述RF电路；

在所述第一介电层中形成第二开口，其中所述第二开口与所述第一开口位于所述半导体管芯的相对侧上；

填充所述第二开口来形成第二过孔，并且利用所述导电材料在所述第一介电层的第二表面之上形成重分布层；

在所述第一介电层的所述第一表面之上沉积第二介电层，其中所述天线层被嵌入在所述第二介电层中；以及

在所述第一介电层的所述第二表面之上沉积第三介电层，其中所述重分布层被嵌入在所述第三介电层中。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述第一介电层中形成所述第一开口之前，在所述第一介电层的所述第一表面上形成第一种子层；以及

在所述第一介电层中形成所述第二开口之前，在所述第一介电层的所述第二表面上形成第二种子层。