[发明专利]发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 202110839925.5 | 申请日: | 2021-07-22 |
公开(公告)号: | CN113571622B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 朱秀山;李燕 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种发光二极管,包括:发光结构、透明导电层、第一绝缘层、第一电极层;第一电极层包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一开口内,且经由所述第一开口与所述第一半导体层电性连接,所述第一电极层包括第一金属反射层和应力调整层,在所述第一开口内所述第一金属反射层和所述第一半导体层接触,所述第一金属反射层位于所述第一半导体层和所述应力调整层之间;其中,所述第一金属反射层和所述应力调整层含有同一种金属元素,所述同一种金属元素在所述第一金属反射层的含量大于所述应力调整层的含量。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体为一种发光二极管及其制备方法。
背景技术
发光二极管(light emitting diode,简称LED)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件,尤其其中的倒装LED芯片具有免打线、高光效、散热性好等优点,应用越来越广泛。
目前有一部分倒装型LED芯片主要用于车用、背光以及大功率照明等领域,因驱动电流大、散热要求高、芯片内阻要求低等需求,该类LED芯片大多是以金属反射层(例如银、铝)作为主要反射镜材料,以实现较好的LED芯片出射光的反射。然而,该类芯片金属反射层并不是整面覆盖在LED芯片表面上,在与N欧姆接触电极接触的芯片表面未被金属反射层覆盖,因此N欧姆接触电极材料的反射率同样也会影响LED芯片的亮度。此外,欧姆接触电极的可靠性问题也是重点研究对象。
发明内容
在一个方面,本发明提供一种发光二极管,包括:
发光结构,包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层;
透明导电层,形成在所述发光结构上;
第一绝缘层,覆盖所述发光结构,包含第一开口以露出所述第一半导体层的一部分;
第一电极层,包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一开口内,且经由所述第一开口与所述第一半导体层电性连接,所述第一电极层包括第一金属反射层和应力调整层,在所述第一开口内所述第一金属反射层和所述第一半导体层接触,所述第一金属反射层位于所述第一半导体层和所述应力调整层之间;
第一焊盘电极,与第一半导体层电接触,其中形成在所述第一绝缘层上的第一电极层和第一焊盘电极电性接触;
第二焊盘电极,与第二半导体层电接触;
其中,所述第一金属反射层和所述应力调整层含有同一种金属元素,所述同一种金属元素在所述第一金属反射层的含量大于所述应力调整层的含量。。
在另一个方面,本发明又提供一种发光二极管,包括:
发光结构,包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层;
透明导电层,形成在所述发光结构上;
第一绝缘层,覆盖所述发光结构,包含第一开口以露出所述第一半导体层的一部分;
第一电极层,包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一开口内,且经由所述第一开口与所述第一半导体层电性连接,所述第一电极层包括第一金属反射层,第一金属反射层包含反射率大于70%的金属;
第一焊盘电极,与第一半导体层电接触,其中形成在所述第一绝缘层上的第一电极层和第一焊盘电极电性接触;
第二焊盘电极,与第二半导体层电接触;
金属接合层,其至少设置在所述第一半导体层在所述第一开口露出的部分与所述第一金属反射层的形成在该开口部分之间,且包含铬、钛或镍中的至少一种金属。
在另一个方面,本发明又提供一种发光二极管,包括:
发光结构,包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层;
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