[发明专利]一种提高电池分片成品率的方法

说明书

本发明公开了一种提高电池分片成品率的方法，包括如下步骤：将上下表面晶向为100、四个边线晶向为110的方形或准方形硅片制备成电池整片；对电池整片的某一晶向为110的边线施加垂直于该边线的力，使电池整片自然解理分裂，得到电池分片。本发明可降低电池整片分割电池分片的碎片率，降低分割损失，且大幅提升分割断面的质量，避免或改善在断面由于切割损伤造成的隐裂、碎片及损伤残留，进而降低由于切割缺陷导致的电池的开压及电流损失，最终提高电池分片的成品率。

技术领域

本发明涉及光伏领域，具体涉及一种提高电池分片成品率的方法。

背景技术

随着光伏技术的发展，将电池整片分割为两个或多个电池分片，已成为一种趋势。

目前电池分片的制备方法，一般都是先将晶向为100的单晶硅圆棒开方成四个侧面晶向为100的单晶硅方棒或准方棒，再将该单晶硅方棒或准方棒切片出上下表面晶向为100、四个边线晶向为100的方形或准方形硅片，再将该方形或准方形硅片制备成电池整片，再垂直于该电池整片的某一边线，对该电池整片进行对半分割，将电池整片分割成一对电池分片。

但上述电池分片的制备方法，所得电池分片的成品率还有待提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高电池分片成品率的方法，包括如下步骤：

将上下表面晶向为100、四个边线晶向为110的方形或准方形硅片制备成电池整片；

对电池整片的某一晶向为110的边线施加垂直于该边线的力，使电池整片自然解理分裂，得到电池分片。

优选的，自然解理的解理面垂直于受力边线。

优选的，对边线施加的力还平行于电池整片。

优选的，采用单晶硅圆棒制备所述方形或准方形硅片，包括如下步骤：先将晶向为100的单晶硅圆棒开方成四个侧面晶向为110的单晶硅方棒或准方棒，再将该单晶硅方棒或准方棒切片出上下表面晶向为100、四个边线晶向为110的方形或准方形硅片。

优选的，所述晶向为100的单晶硅圆棒采用直拉法或区熔法生长而成。

优选的，单晶硅圆棒开方过程中，先将单晶硅圆棒的硅棒棱线与相邻晶托棱线间的周向弧度调整为π/4，再对单晶硅圆棒开方，开方后的硅棒棱线处于边皮的弧面顶部中心位置。

优选的，单晶硅圆棒开方，包括如下步骤：

A1）将晶向为100的单晶硅圆棒垂直置于开方机晶托上；

A2）将单晶硅圆棒的硅棒棱线与开方机晶托的晶托棱线一一对准，再将单晶硅圆棒相对晶托旋转π/4，再用黏胶将单晶硅圆棒粘接在开方机晶托上；

A3）将晶托固定在开方机工作台上，开动开方机将单晶硅圆棒切割成四个侧面晶向为110的单晶硅方棒；还可以包括：

A4）对步骤A3）所得单晶硅方棒进行倒角处理，将单晶硅方棒制备成四个侧面晶向为110的单晶硅准方棒。

优选的，单晶硅圆棒开方，包括如下步骤：

B1）将晶向为100的单晶硅圆棒垂直置于开方机晶托上；

B2）将单晶硅圆棒的硅棒棱线与开方机晶托的标记线一一对准，再用黏胶将单晶硅圆棒粘接在开方机晶托上；所述标记线位于晶托的外周面上，并与晶托棱线间隔设置；所述标记线和与其相邻的两个晶托棱线平行，且与该两个相邻晶托棱线的间距相等；

B3）将晶托固定在开方机工作台上，开动开方机将单晶硅圆棒切割成四个侧面晶向为110的单晶硅方棒； 还可以包括：

B4）对步骤B3）所得单晶硅方棒进行倒角处理，将单晶硅方棒制备成四个侧面晶向为110的单晶硅准方棒。