[发明专利]一种提高电池分片成品率的方法有效
申请号: | 202110835271.9 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN113571601B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 宫龙飞;符黎明 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/78;B28D5/00 |
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地址: | 213300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 电池 分片 成品率 方法 | ||
1.一种提高电池分片成品率的方法,其特征在于,包括如下步骤:
将上下表面晶向为100、四个边线晶向为110的方形或准方形硅片制备成电池整片;
对电池整片的某一晶向为110的边线施加垂直于该边线且平行于电池整片的力,使电池整片自然解理分裂,自然解理的解理面垂直于受力边线,得到电池分片;
对电池整片自然解理分裂形成的断面进行钝化处理:先将电池分片叠放在一侧开口的保护容器中,各电池分片上的断面都朝向开口设置;然后采用激光对各电池分片的断面进行加热处理,激光扫过区域同时喷入氧气、富氧空气或者氮气和氧气的混合气体,使各电池分片上的断面生长氧化层。
2.根据权利要求1所述的提高电池分片成品率的方法,其特征在于,采用单晶硅圆棒制备所述方形或准方形硅片,包括如下步骤:先将晶向为100的单晶硅圆棒开方成四个侧面晶向为110的单晶硅方棒或准方棒,再将该单晶硅方棒或准方棒切片出上下表面晶向为100、四个边线晶向为110的方形或准方形硅片。
3.根据权利要求2所述的提高电池分片成品率的方法,其特征在于,所述晶向为100的单晶硅圆棒采用直拉法或区熔法生长而成。
4.根据权利要求2所述的提高电池分片成品率的方法,其特征在于,单晶硅圆棒开方过程中,先将单晶硅圆棒的硅棒棱线与相邻晶托棱线间的周向弧度调整为π/4,再对单晶硅圆棒开方。
5.根据权利要求4所述的提高电池分片成品率的方法,其特征在于,单晶硅圆棒开方,包括如下步骤:
A1)将晶向为100的单晶硅圆棒垂直置于开方机晶托上;
A2)将单晶硅圆棒的硅棒棱线与开方机晶托的晶托棱线一一对准,再将单晶硅圆棒相对晶托旋转π/4,再用黏胶将单晶硅圆棒粘接在开方机晶托上;
A3)将晶托固定在开方机工作台上,开动开方机将单晶硅圆棒切割成四个侧面晶向为110的单晶硅方棒。
6.根据权利要求5所述的提高电池分片成品率的方法,其特征在于,单晶硅圆棒开方,还包括如下步骤:
A4)对步骤A3)所得单晶硅方棒进行倒角处理,将单晶硅方棒制备成四个侧面晶向为110的单晶硅准方棒。
7.根据权利要求4所述的提高电池分片成品率的方法,其特征在于,单晶硅圆棒开方,包括如下步骤:
B1)将晶向为100的单晶硅圆棒垂直置于开方机晶托上;
B2)将单晶硅圆棒的硅棒棱线与开方机晶托的标记线一一对准,再用黏胶将单晶硅圆棒粘接在开方机晶托上;所述标记线位于晶托的外周面上,并与晶托棱线间隔设置;所述标记线和与其相邻的两个晶托棱线平行,且与该两个相邻晶托棱线的间距相等;
B3)将晶托固定在开方机工作台上,开动开方机将单晶硅圆棒切割成四个侧面晶向为110的单晶硅方棒。
8.根据权利要求7所述的提高电池分片成品率的方法,其特征在于,单晶硅圆棒开方,还包括如下步骤:
B4)对步骤B3)所得单晶硅方棒进行倒角处理,将单晶硅方棒制备成四个侧面晶向为110的单晶硅准方棒。
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