[发明专利]非易失性存储器件

说明书

一种非易失性存储器件可以包括：衬底；衬底上的第一堆叠结构；第一堆叠结构上的第二堆叠结构；沟道结构，包括穿过第一堆叠结构的第一部分和穿过第二堆叠结构的第二部分；以及填充结构，包括穿过第一堆叠结构并在第一水平方向上延伸的第一部分和穿过第二堆叠结构并在第一水平方向上延伸的第二部分。填充结构的第一部分的上端可以与沟道结构的第一部分的上端处于相同高度。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2020年10月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0128953的优先权，该申请的公开内容通过全文引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及非易失性存储器件，更具体地，涉及三维(3D)非易失性存储器件。

背景技术

由于可能需要具有改进性能和较低成本的存储器件，因此可能需要更高集成度的存储器件。为了实现具有更高集成度的非易失性存储器件，已经提出了3D存储器件，包括堆叠在衬底上的多个栅极层和穿过这多个栅极层的沟道。因为可以通过增加所要堆叠的栅极层的数量来提高3D存储器件的集成度，所以3D存储器件可以有利于提高集成度。

发明内容

本发明构思提供了一种具有简化工艺和/或降低成本的非易失性存储器件。

根据发明构思的实施例，一种非易失性存储器件可以包括：衬底；第一堆叠结构，包括交替堆叠在衬底上的多个第一栅极层和多个第一层间绝缘层；第二堆叠结构，包括交替堆叠在第一堆叠结构上的多个第二栅极层和多个第二层间绝缘层；沟道结构，包括穿过第一堆叠结构的第一部分和穿过第二堆叠结构的第二部分；以及填充结构，包括穿过第一堆叠结构并在第一水平方向上延伸的第一部分和穿过第二堆叠结构并在第一水平方向上延伸的第二部分。沟道结构的第一部分的上端的直径可以大于沟道结构的第二部分的下端的直径。填充结构的第一部分的上端在第二水平方向上的宽度可以大于填充结构的第二部分的下端在第二水平方向上的宽度。填充结构的第一部分的上端可以与沟道结构的第一部分的上端处于相同高度。

根据发明构思的实施例，一种非易失性存储器件可以包括：衬底；第一堆叠结构，包括交替堆叠在衬底上的多个第一栅极层和多个第一层间绝缘层；第二堆叠结构，包括交替堆叠在第一堆叠结构上的多个第二栅极层和多个第二层间绝缘层；沟道结构，包括穿过第一堆叠结构的第一部分和穿过第二堆叠结构的第二部分；以及填充结构，穿过第一堆叠结构与第二堆叠结构的至少一部分。填充结构可以在第一水平方向上延伸。填充结构可以包括第一部分、第二部分和第三部分。填充结构的第一部分可以穿过第一堆叠结构并在第一水平方向上延伸。填充结构的第二部分可以在填充结构的第一部分上，穿过第二堆叠结构，并在第一水平方向上延伸。填充结构的第三部分可以在填充结构的第一部分上，穿过第二堆叠结构，并在第一水平方向上延伸。填充结构的第三部分可以在第一水平方向上与填充结构的第二部分间隔开。填充结构的第一部分的上端可以与沟道结构的第一部分的上端处于相同高度。

根据发明构思的实施例，一种非易失性存储器件可以包括：衬底；第一堆叠结构，包括交替堆叠在衬底上的多个第一栅极层和多个第一层间绝缘层；第二堆叠结构，包括交替堆叠在第一堆叠结构上的多个第二栅极层和多个第二层间绝缘层；沟道结构；以及第一填充结构。第一堆叠结构可以限定穿过第一堆叠结构的第一沟道孔和第一字线切口。第一字线切口可以在第一水平方向上延伸。第二堆叠结构可以限定穿过第二堆叠结构的第二沟道孔和第二字线切口。第二字线切口可以在第一水平方向上延伸。沟道结构可以在第一沟道孔和第二沟道孔中。沟道结构可以穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构。沟道结构可以部分地延伸到衬底中。第一填充结构可以在第一字线切口和第二字线切口中。第一填充结构可以穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构。第一填充结构可以部分地延伸到衬底中。第一字线切口的下端的高度可以低于第一沟道孔的下端的高度。第一字线切口的上端可以与第一沟道孔的上端处于相同高度。

附图说明

根据以下结合附图的具体实施方式将更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：