[发明专利]非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

衬底；

第一堆叠结构，包括交替堆叠在所述衬底上的多个第一栅极层和多个第一层间绝缘层；

第二堆叠结构，包括交替堆叠在所述第一堆叠结构上的多个第二栅极层和多个第二层间绝缘层；

沟道结构，包括穿过所述第一堆叠结构的第一部分和穿过所述第二堆叠结构的第二部分；以及

填充结构，包括穿过所述第一堆叠结构并在第一水平方向上延伸的第一部分和穿过所述第二堆叠结构并在所述第一水平方向上延伸的第二部分，

其中，所述沟道结构的第一部分的上端的直径大于所述沟道结构的第二部分的下端的直径，

所述填充结构的第一部分的上端在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上的宽度大于所述填充结构的第二部分的下端在所述第二水平方向上的宽度，并且

所述填充结构的第一部分的上端与所述沟道结构的第一部分的上端的处于相同高度。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第一层间绝缘层中最上层间绝缘层的厚度大于所述多个第一层间绝缘层中的其他层间绝缘层的厚度。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述最上层间绝缘层的上表面与所述填充结构的第一部分的上端处于相同高度。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第二层间绝缘层中最下层间绝缘层的厚度大于所述多个第二层间绝缘层中的其他层间绝缘层的厚度。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

上绝缘层，在所述第二堆叠结构和所述沟道结构上，其中

所述填充结构还包括穿过所述上绝缘层的第三部分，并且

所述填充结构的第二部分的上端在所述第二水平方向上的宽度大于所述填充结构的第三部分的下端在所述第二水平方向上的宽度。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述填充结构的第二部分的上端与所述沟道结构的第二部分的上端处于相同高度。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

上绝缘层，在所述第二堆叠结构和所述沟道结构上，其中

所述填充结构还包括穿过所述上绝缘层并部分穿过所述第二堆叠结构的第三部分，并且

所述填充结构的第二部分的上端在所述第二水平方向上的宽度小于所述填充结构的第三部分的下端在所述第二水平方向上的宽度。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，所述填充结构的第二部分的上端的高度低于所述沟道结构的第二部分的上端的高度。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述填充结构包括绝缘材料。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述填充结构还包括导电材料。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，在平面图中，所述填充结构在所述第一水平方向上的长度大于所述填充结构在所述第二水平方向上的宽度。