[发明专利]一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器有效
| 申请号： | 202110820386.0 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113659430B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王涛;杨杰;张浩然;常浩泽;王高峰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/30;H01S5/125 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 增益 阈值 tamm 等离子 激光器 | ||
1.一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，其特征在于：所述激光器由金属圆柱阵列组成激光器结构，从下往上依次包括衬底(1)，由不同折射率材料组成的布拉格反射镜(2),半导体增益层(3)，金属层(4)和金属圆柱阵列(5)，单个周期单元横截面为正方形四个角切除四个直角扇形后的形状；所述的激光器工作在1550nm波段，且具有超窄线宽。
2.根据权利要求1所述的一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，其特征在于：所述的衬底(1)材料为GaAs，折射率为3.34，其厚度为1.5μm。
3.根据权利要求1所述的一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，其特征在于：所述的布拉格反射镜(2)的高低折射率材料分别为GaAs/AlGaAs，其折射率分别为3.34/2.97，GaAs/AlGaAs的厚度是114nm/130nm，对数是30对。
4.根据权利要求1所述的一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，其特征在于：所述的半导体增益层(3)的材料为InGaAsP，其增益谱在1450～1650nm，厚度为90nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，其特征在于：所述的金属层(4)的材料为银，厚度为20～40nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，其特征在于：所述的金属圆柱阵列(5)的材料为银，银柱的高度在100～170nm，半径范围在80～130nm，相邻圆柱的圆心间距为D＝350nm。
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