[发明专利]一种半导体晶圆前处理系统

权利要求书

1.一种半导体晶圆前处理系统，包括外壳，其特征在于：所述外壳内设有过滤器，所述过滤器前方设有水泵，所述水泵与所述过滤器通过第一水管相连通，所述过滤器上方设有工作腔，所述工作腔底壁固设有冷却液回收箱，所述冷却液回收箱内设有开口向上的冷却液回收腔，所述冷却液回收腔与所述过滤器通过第二水管相连通，所述冷却液回收箱上方设有左右位置对称且贯穿所述外壳的前后表面的第一限位滑槽，所述第一限位滑槽之间设有硅晶棒，所述第一限位滑槽之间设有夹持所述硅晶棒的夹紧装置，所述硅晶棒上方设有将所述硅晶棒切割成晶圆的切割装置，所述切割装置后方设有能将晶圆烘干的烘干装置，所述烘干装置下方设有能够给晶圆去除毛刺和清洗晶圆表面的超声波清洗装置，所述外壳前壁贯穿设有与所述工作腔相连通的进料口，所述进料口上方设有能控制整个系统的控制中枢，所述外壳后壁贯穿设有与所述工作腔相连通的出料口，所述外壳左右侧壁对称设有能够观察所述工作腔内工作情况的观察窗；

所述夹紧装置包括设置于所述第一限位滑槽之间的连接箱，所述连接箱内设有夹紧腔，所述夹紧腔前后壁对称设有贯穿所述连接箱表面的夹紧孔,所述夹紧腔顶壁左右位置对称第一电机，所述第一电机下端面设有延伸至所述夹紧腔底壁且上下螺纹的螺纹旋向相反的第一螺杆，所述第一螺杆上螺纹连接有上下位置对称的连杆，所述连杆靠近所述连杆对称中心一侧的侧壁固设有能够夹持所述硅晶棒的夹紧块，所述连接箱左右位置对称固设有与所述第一限位滑槽滑动连接的第一限位滑块，所述第一限位滑块远离所述第一限位滑块对称中心一侧的侧壁设有第二电机，所述第二电机远离所述第一限位滑块对称中心一侧的侧壁设有第二转动轴，所述第二转动轴远离所述第一限位滑块对称中心一侧的侧壁固设有第一直齿轮，所述第一限位滑槽底壁固设有与所述第一直齿轮啮合的第一齿条，所述连接箱左右侧壁对称设有位于所述第一限位滑块下方的感应器； 所述超声波清洗装置包括位于所述冷却液回收箱后方与所述工作腔底壁固定连接的清洗槽，所述清洗槽底壁左右位置对称设有超声波发生器，所述清洗槽内设有开口向上的清洗腔，所述清洗腔后壁设有贯穿所述外壳表面的冷却液进水管，所述冷却液进水管下方设有贯穿所述外壳表面与所述清洗腔相连通的冷却液排水管，所述清洗腔左右侧壁固设有位置对称且延伸至所述工作腔左右侧壁并截断所述第一限位滑槽的滑动固定块，所述滑动固定块内设有开口朝向所述滑动固定块对称中心一侧的第五限位滑槽，所述第五限位滑槽前后侧壁设有贯穿所述滑动固定块表面能与所述第一限位滑槽相连通的第六限位滑槽，所述第一齿条延伸至所述第六限位滑槽内，所述第五限位滑槽顶壁设有第一驱动器，所述第一驱动器下端面设有第六螺杆，所述第六螺杆上螺纹连接有第五限位滑块，所述第五限位滑块内设有开口向靠近所述滑动固定块对称中心一侧且能与所述第六限位滑槽相连通的第七限位滑槽，所述第七限位滑槽底壁固设有能与所述第一直齿轮啮合的第二齿条。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆前处理系统，其特征在于：所述切割装置包括固设有所述工作腔顶壁的第一固定块，所述第一固定块内设有开口向下的第二限位滑槽，所述第二限位滑槽顶壁设有第三电机，所述第三电机下端面设有第三螺杆，所述第三螺杆上螺纹连接有与所述第二限位滑槽滑动连接的第二 限位滑块，所述第二限位滑块下端面固设有“V”型的切割支架，所述切割支架内设有开口向下的切割腔，所述切割腔前壁设有第四电机，所述第四电机后端面设有延伸至所述切割腔后壁的第四转动轴，所述第四转动轴上固设有第一驱动轮，所述切割腔内固定设有左右位置对称的第三转动轴，所述第三转动轴上转动设有第一辅助轮，所述第一辅助轮与所述第一驱动轮之间通过线锯丝相连接，所述切割腔与所述水泵通过第三水管相连接。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆前处理系统，其特征在于：所述烘干装置包括设置于所述工作腔后壁贯穿所述外壳表面的空气过滤器，所述空气过滤器前端面固设有烘干支撑块，所述烘干支撑块内设有开口向下与所述空气过滤器相连通的烘干腔，所述烘干腔后壁固设有第五电机，所述第五电机前端面设有第五转动轴，所述第五转动轴上固设有桨叶，所述第五转动轴前方设有空气加热器。