[发明专利]静电保护器件

权利要求书

1.一种静电保护器件，其特征在于，包括第一子器件，所述第一子器件包括：第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区；

其中，所述第一P型重掺杂区和所述第一N型重掺杂区均位于P阱内，所述第二P型重掺杂区和所述第三N型重掺杂区均位于第一N阱内，所述第二N型重掺杂区的一部分位于所述P阱内，所述第二N型重掺杂区的另一部分位于所述第一N阱内，所述P阱和所述第一N阱相邻接，且所述P阱和所述第一N阱均位于P型衬底内；

所述P型衬底上设有栅极结构，所述栅极结构位于所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区之间，且所述栅极结构、所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区形成晶体管。

2.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一N型重掺杂区连接第一电压，所述第二P型重掺杂区连接第二电压，所述栅极结构通过第一电阻连接所述第一电压。

3.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述P阱、所述第一N阱和所述第一N型重掺杂区形成寄生NPN型晶体管；

所述P阱、所述第一N阱和所述第二P型重掺杂区形成寄生PNP型晶体管，所述寄生PNP型晶体管和所述寄生NPN型晶体管形成第一泄电通路。

4.根据权利要求3所述的静电保护器件，其特征在于，所述P阱具有第一寄生电阻，所述第一寄生电阻的一端连接所述寄生NPN型晶体管的基级，所述寄生NPN型晶体管的基级还连接所述寄生PNP型晶体管的集电极。

5.根据权利要求3所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一N阱具有第二寄生电阻，所述第二寄生电阻的一端连接所述寄生PNP型晶体管的基级，所述寄生PNP型晶体管的基级还连接所述寄生NPN型晶体管的集电极。

6.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第二N型重掺杂区位于所述第一P型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区之间，所述第二P型重掺杂区位于所述第二N型重掺杂区和所述第三N型重掺杂区之间。

7.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述P阱和所述第一N阱均位于深N阱内，且所述深N阱位于所述P型衬底上。

8.根据权利要求7所述的静电保护器件，其特征在于，所述P阱远离所述第一N阱的一侧还设置有第二N阱，所述第二N阱与所述P阱邻接，且所述第二N阱的一部分位于所述深N阱内，所述第二N阱的另一部分位于所述P型衬底上。

9.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一子器件还包括浅槽隔离区，所述浅槽隔离区设置在所述第一P型重掺杂区和所述第一N型重掺杂区之间、所述第二N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区之间，以及所述第二P型重掺杂区和所述第三N型重掺杂区之间。

10.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第二P型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区形成第一二极管，所述第一二极管的阳极连接所述第二P型重掺杂区，所述第一二极管的阴极连接所述第二N型重掺杂区，所述第一二极管和所述晶体管形成第二泄电通路。

11.根据权利要求1-10任一项所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一子器件还包括：

设置在所述第一P型重掺杂区和所述第三N型重掺杂区的第二二极管，所述第二二极管的阳极连接所述第三N型重掺杂区，所述第二二极管的阴极连接所述第一P型重掺杂区。

12.根据权利要求11所述的静电保护器件，其特征在于，所述第二二极管的数量为多个，多个所述第二二极管串联在所述第一P型重掺杂区和所述第三N型重掺杂区之间。