[发明专利]半导体装置及其操作方法以及半导体系统

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

终端电路，该终端电路联接到第一焊盘并且在通过所述第一焊盘输入和输出数据的正常操作期间根据第一控制码和第二控制码来提供终端电阻；

应力复制电路，该应力复制电路在所述正常操作期间复制施加到所述终端电路的应力并且在第二校准模式期间生成检测码；

第一校准电路，该第一校准电路在第一校准模式期间调节所述第一控制码以使联接到第二焊盘的电阻器部分的阻抗与外部电阻器匹配；以及

第二校准电路，该第二校准电路在所述第二校准模式期间通过根据所述检测码调节所述第一控制码来生成所述第二控制码。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述终端电路包括：

至少一个第一电阻器组，所述至少一个第一电阻器组联接到所述第一焊盘并根据第一终端使能信号和内部数据而被启用，并且提供根据所述第一控制码调节的第一阻抗；以及

至少一个第二电阻器组，所述至少一个第二电阻器组联接到所述第一焊盘并根据第二终端使能信号和所述内部数据而被启用，并且提供根据所述第二控制码调节的第二阻抗。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中，在读操作期间，所述第一终端使能信号和所述第二终端使能信号被禁用，并且所述第一阻抗和所述第二阻抗形成对输出驱动器的导通电阻，并且

其中，在写操作期间，所述第一终端使能信号被禁用并且所述第二终端使能信号被使能，并且所述第二阻抗形成对所述第一焊盘的管芯上终端电阻。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中，所述应力复制电路包括串联联接在源极电压端子和接地电压端子之间的上拉复制晶体管和下拉复制晶体管，并且

其中，所述应力复制电路还：

通过根据所述第二终端使能信号仅使所述上拉复制晶体管导通来向所述上拉复制晶体管施加应力，并且

根据指示所述第二校准模式的第二模式信号来生成表示通过使所述上拉复制晶体管和所述下拉复制晶体管导通而形成的复制阻抗的所述检测码。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述应力复制电路包括：

上拉复制晶体管和下拉复制晶体管，该上拉复制晶体管和该下拉复制晶体管串联联接在源极电压端子和接地电压端子之间，并且分别通过其栅极接收第一复制控制信号和第二复制控制信号；

复制控制电路，该复制控制电路在所述正常操作期间将所述第一复制控制信号使能，并且在所述第二校准模式期间将所述第一复制控制信号和所述第二复制控制信号二者使能；以及

模数转换器，该模数转换器在所述第二校准模式期间转换所述上拉复制晶体管和所述下拉复制晶体管之间的公共节点处的信号以输出所述检测码。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一校准电路包括：

所述电阻器部分，所述电阻器部分联接到所述第二焊盘并且根据所述第一控制码来提供阻抗；

比较器，该比较器通过将所述第二焊盘的电压与基准电压进行比较来生成上/下信号；以及

计数器，该计数器根据指示所述第一校准模式的第一模式信号而被使能，并且响应于所述上/下信号而调节所述第一控制码的值。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二校准电路包括：

劣化确定部分，该劣化确定部分在所述第二校准模式期间根据所述检测码来生成表示晶体管的劣化程度的调节码；以及

码调节部分，该码调节部分通过将所述调节码反映到所述第一控制码上来生成所述第二控制码。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一焊盘包括数据输入/输出焊盘，并且所述第二焊盘包括联接到所述外部电阻器的校准焊盘。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在校准操作期间依次执行所述第一校准模式和所述第二校准模式。