[发明专利]集成电路结构及其制备方法

权利要求书

1.一种集成电路结构的制备方法，包括：

在一基底上形成一第一导电结构；

在该第一导电结构上形成一第一介电结构；

将该第一导电结构的侧壁部分转换成一第一介电部分；

去除该第一介电部分，形成一第一导电结构其余部分，且该第一介电结构的宽度大于该第一导电结构其余部分的宽度；

形成覆盖该第一介电结构的侧壁的一层间介电层；

在该层间介电层中形成一增强柱，且该增强柱的材料是由一能量可去除材料所制；

在该增强柱上形成一罩盖介电层；以及

进行一热处理制程是将该增强柱转换成一介电隔离结构，该介电隔离结构具有一衬垫层且该衬垫层包围一空气气隙。

2.如权利要求1所述的集成电路结构的制备方法，其中转换该第一导电结构的侧壁部分的步骤，还包括：

在该第一导电结构上执行一热处理制程，是在该第一导电结构的其余部分的相对侧壁上形成一第一介电部分，其中该第一介电部分的材料与该第一介电结构的材料不同。

3.如权利要求2所述的集成电路结构的制备方法，其中该热处理制程是一氧化制程或一氮化制程，且该第一介电部分被该第一介电结构所覆盖。

4.如权利要求1所述的集成电路结构的制备方法，还包括：形成一层间介电层，是覆盖该第一介电结构的侧壁，且在该层间介电层与该第一导电结构其余部分之间形成一第一空气间隙子。

5.如权利要求4所述的集成电路结构的制备方法，其中该第一空气间隙子的一底表面高于该第一导电结构其余部分的一底表面。

6.如权利要求4所述的集成电路结构的制备方法，其中该层间介电层在该第一导电结构其余部分的一下侧壁上延伸且直接接触。

7.如权利要求1所述的集成电路结构的制备方法，还包括：

在该基底上形成一第二导电结构；

在该第二导电结构上形成一第二介电结构；

在该第一导电结构形成该第一介电部分的期间，将该第二导电结构的侧壁部分形成一第二介电部；以及

去除该第二介电部分，形成一第二导电结构其余部分，是以该第一导电结构其余部分与该第二导电结构其余部分之间的距离大于该第一介电结构与该第二介电结构之间的距离。

8.如权利要求7所述的集成电路结构的制备方法，还包括：形成一层间介电层，覆盖该第一介电结构的侧壁，且在该层间介电层与该第一导电结构其余部分之间形成一第一空气间隙子。

9.如权利要求8所述的集成电路结构的制备方法，其中该第一空气间隙子的一底表面高于该第一导电结构其余部分的一底表面。

10.如权利要求8所述的集成电路结构的制备方法，其中该层间介电层是覆盖该第二介电结构的侧壁，且在该层间介电层与该第二导电结构其余部分之间形成一第二空气间隙子，其中该第一空气间隙子、该第二空气间隙子分别被第一介电结构、第二介电结构完全覆盖。

11.一种集成电路结构的制备方法，包括：

在一基底上形成一导电层；

在该导电层上形成一介电层；

对该介电层与导电层进行图案化是形成一第一介电结构、一第二介电结构、一第一导电结构以及一第二导电结构，其中在该第一介电结构与该第二介电结构之间形成一第一开口，且在该第一介电结构与该第二介电结构之间形成一第二开口；

部分去除该第一导电结构与该第二导电结构是形成一扩大的第二开口；

形成一层间介电层是覆盖该第一介电结构的侧壁与该第二介电结构的侧壁。

在该层间介电层中形成一增强柱，且该增强柱的材料是由一能量可去除材料所制。

在该增强柱上形成一罩盖介电层；以及

进行一热处理制程是将该增强柱转换成一介电隔离结构，该介电隔离结构具有一衬垫层且该衬垫层包围一空气气隙。