[发明专利]反熔丝阵列的版图结构

说明书

本申请实施例提供一种反熔丝阵列的版图结构，所述反熔丝阵列的版图结构至少包括：阵列电路区和功能电路区；所述阵列电路区与所述功能电路区电连接；所述功能电路区位于所述阵列电路区的至少一侧，且所述阵列电路区的至少一侧位于所述版图结构的边缘；所述阵列电路区包括由反熔丝单元构成的反熔丝阵列，所述阵列电路区用于向所述功能电路区提供不同列地址下的反熔丝单元；所述功能电路区用于对所述不同列地址下的反熔丝单元执行熔断操作。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，涉及但不限于一种反熔丝阵列的版图结构。

背景技术

反熔丝器件(Anti-fuse)是一次性可编程器件(One Time Program，OTP)，广泛用于动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等存储器中。反熔丝器件由两个导电层及介于导电层之间的介质层构成的半导体器件。未编程时，导电层被介质层隔开，反熔丝两端断路；编程时(外加高电压)，介质层被高电压击穿，两侧的导电层之间形成电连接，反熔丝短路(熔断)。这种熔断过程在物理上是一次性的、永久性的，且不可逆的。利用反熔丝通、断两种状态可以分别代表逻辑值“0”和“1”。

相关技术中的反熔丝阵列包含4个模块，通常，版图设计工程师会按照反熔丝阵列的信号流的流向进行反熔丝阵列版图结构的设计，然而，这样会导致反熔丝阵列版图结构中各模块之间的必要距离过大，进而导致反熔丝阵列版图结构的面积较大。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种反熔丝阵列的版图结构。

本申请实施例提供一种反熔丝阵列的版图结构，至少包括：阵列电路区和功能电路区；

所述阵列电路区与所述功能电路区电连接；所述功能电路区位于所述阵列电路区的至少一侧，且所述阵列电路区的至少一侧位于所述版图结构的边缘；

所述阵列电路区包括由反熔丝单元构成的反熔丝阵列，所述阵列电路区用于向所述功能电路区提供不同列地址下的反熔丝单元；

所述功能电路区用于对所述不同列地址下的反熔丝单元执行熔断操作。

在一些实施例中，所述功能电路区包括中间电路区和检测电路区；

所述阵列电路区与所述中间电路区电连接，且所述中间电路区与所述检测电路区电连接；

所述中间电路区位于所述阵列电路区与所述检测电路区之间；所述中间电路区用于对所述反熔丝阵列中的特定列地址下的反熔丝单元进行熔断操作；

所述检测电路区位于所述中间电路区与所述版图结构的边缘之间，所述检测电路区用于检测所述特定列地址下的反熔丝单元的输出值。

在一些实施例中，所述中间电路区至少包括选择电路区；

所述选择电路区与所述阵列电路区电连接；

所述选择电路区用于从所述反熔丝阵列中选择出所述特定列地址的下反熔丝单元进行所述熔断操作。

在一些实施例中，所述中间电路区还包括保护电路区；

所述保护电路区与所述阵列电路区和所述选择电路区电连接，且所述选择电路区或者所述保护电路区与所述检测电路区电连接；

所述保护电路区用于在所述熔断操作中保护未被所述选择电路区选中的反熔丝单元不被熔断。

在一些实施例中，所述版图结构还包括位于所述阵列电路区与所述功能电路区之间的保护环；

所述保护环用于隔离所述阵列电路区与所述功能电路区之间的信号串扰。

在一些实施例中，所述检测电路区包括至少一个NMOS管；