[发明专利]一种微显示器及其制作方法在审
申请号: | 202110784264.0 | 申请日: | 2021-07-12 |
公开(公告)号: | CN113488604A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 张成明;沈倩;周文斌;王卫卫;陈乔建;陈正;孙剑;高裕弟 | 申请(专利权)人: | 昆山梦显电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示器 及其 制作方法 | ||
本发明实施例提供一种硅基微显示器及其制作方法,微显示器的制作方法包括:提供一基板,其中,基板包括衬底、位于衬底一侧的电路层和位于电路层远离衬底一侧的金属膜层;在金属膜层远离电路层的一侧涂敷光刻胶形成第一光刻胶图案层;对第一光刻胶图案层进行挥化处理形成第二光刻胶图案层,其中,第二光刻胶图案层中的每一第二光刻胶图案的侧面与金属膜层的远离衬底的表面具有第一设定角度,第一设定角度在小于或等于第一设定阈值;刻蚀金属膜层形成第一电极层,其中第一电极层包括多个第一电极,每一第一电极的侧面与衬底靠近电路层的表面具有第二设定角度。本发明实施例提供的微显示器及其制作方法,能够防止阴极或阳极的断裂。
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是涉及一种微显示器及其制作方法。
背景技术
随着目前市场对显示器件的多样性及高性能性的需求扩大,极大的推动着显示技术的发展。基于面板结合半导体技术的硅基Micro有机发光二极管技术(Organic LightEmitting Diode,OLED)也在飞速发展。硅基Micro OLED微显示器件区别于常规利用非晶硅、微晶硅或低温多晶硅薄膜晶体管为背板的AMOLED器件,它以单晶硅芯片为基底,像素尺寸为传统显示器件的1/10,精细度远远高于传统器件。基于其技术优势和广阔的应用市场,它有望在消费电子领域掀起近眼显示的新浪潮。
由于硅基Micro OLED为高像素数目的显示器,像素密度较大,制备要求极高。制备Micro OLED需选用高分辨光刻机搭配高对比度光刻胶,但是高对比度光刻胶角度比较陡直从而导致制备的阳极角度过大,器件制备时因为阳极角度过大,导致阴极在此处极易断裂,从而影响Micro OLED良率。
发明内容
本发明实施例提供的微显示器及其制作方法,能够防止阴极或阳极的断裂。
第一方面,本发明实施例提供一种微显示器的制作方法,该制作方法包括:
提供一基板,其中,所述基板包括衬底、位于所述衬底一侧的电路层和位于所述电路层远离所述衬底一侧的金属膜层;
在所述金属膜层远离所述电路层的一侧涂敷光刻胶形成第一光刻胶图案层;
对所述第一光刻胶图案层进行挥化处理形成第二光刻胶图案层,其中,所述第二光刻胶图案层中的每一第二光刻胶图案的侧面与所述金属膜层的远离所述衬底的表面具有第一设定角度,所述第一设定角度在小于或等于第一设定阈值;
刻蚀所述金属膜层形成第一电极层,其中,所述第一电极层包括多个第一电极,每一所述第一电极的侧面与所述衬底靠近所述电路层的表面具有第二设定角度,其中,所述第二设定角度小于或等于第二设定阈值;
剥离所述第二光刻胶图案层。
可选的,对所述第一光刻胶图案层进行挥化处理形成第二光刻胶图案层具体包括:
将形成第一光刻胶图案层的基板放入真空腔室,在所述真空腔室通入预设流量的氧气且持续预设时间,形成第二光刻胶图案层。
可选的,所述预设时间包括8~10s,所述预设流量包括1000~3000Sccm。
可选的,刻蚀所述金属膜层形成第一电极层具体包括:
对所述金属膜层进行干刻形成第一电极层。
可选的,所述第一设定角度包括30~50°。
可选的,所述光刻胶包括正性光刻胶。
可选的,提供一基板,其中,所述基板包括衬底、位于所述衬底一侧的电路层和位于所述电路层远离所述衬底一侧的金属膜层具体包括:
采用物理气相沉积法在所述电路层远离所述衬底的一侧形成金属膜层。
可选的,该制作方法还包括
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